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NTD50N03R-35G

7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Rochester Electronics

厂商官网:https://www.rocelec.com/

器件标准:

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NTD50N03R-35G 在线购买

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器件:NTD50N03R-35G

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Rochester Electronics
包装说明
LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3
针数
3
制造商包装代码
CASE 369AC-01
Reach Compliance Code
unknown
雪崩能效等级(Eas)
20 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
25 V
最大漏极电流 (ID)
7.8 A
最大漏源导通电阻
0.014 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
NOT SPECIFIED
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
180 A
认证状态
COMMERCIAL
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与NTD50N03R-35G相近的元器件有:NTD50N03RT4G、NTD50N03RG、NTD50N03R-1G、NTD50N03RT4。描述及对比如下:
型号 NTD50N03R-35G NTD50N03RT4G NTD50N03RG NTD50N03R-1G NTD50N03RT4
描述 7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3 7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 7.8A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 CASE 369AA-01, DPAK-3
针数 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369AC-01 CASE 369AA-01 CASE 369AA-01 CASE 369D-01 CASE 369AA-01
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 20 mJ 20 mJ 20 mJ 20 mJ 20 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 7.8 A 7.8 A 7.8 A 7.8 A 7.8 A
最大漏源导通电阻 0.014 Ω 0.014 Ω 0.014 Ω 0.014 Ω 0.014 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 235
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 180 A 180 A 180 A 180 A 180 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO YES YES NO YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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