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PF38F1030W0YTQ2

Memory Circuit, Flash+PSRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, STACK, CSP-88

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Micron Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA, BGA88,8X12,32
针数
88
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
CONTAINS 16 MBIT SRAM, ALSO CONTAINS 64 MBIT FLASH
JESD-30 代码
R-PBGA-B88
长度
10 mm
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
16
混合内存类型
FLASH+PSRAM
功能数量
1
端子数量
88
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
4MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA88,8X12,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8,3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.000005 A
最大压摆率
0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.95 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
8 mm
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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