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RF1S40N10SM

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Harris

厂商官网:http://www.harris.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Harris
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40 A
最大漏极电流 (ID)
40 A
最大漏源导通电阻
0.04 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
100 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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