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SD1013-3

TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：ST(意法半导体)

厂商官网：http://www.st.com/

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Reach Compliance Code

not_compliant

最大集电极电流 (IC)

1 A

配置

Single

最小直流电流增益 (hFE)

5

JESD-609代码

e0

最高工作温度

200 °C

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

13 W

表面贴装

NO

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

标称过渡频率 (fT)

250 MHz

Base Number Matches

1

文档预览

参数对比

与SD1013-3相近的元器件有：SD1015、SD1224-2、SD1219、SD1219-5。描述及对比如下：

型号	SD1013-3	SD1015	SD1224-2	SD1219	SD1219-5
描述	TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR	RF POWER TRANSISTOR	TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,5A I(C),SOT-121VAR	TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8	RF POWER AMP TRANSISTOR, FT > 300 MHZ,STX-8
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
最大集电极电流 (IC)	1 A	4 A	5 A	6.5 A	-
配置	Single	SINGLE	Single	Single	-
最小直流电流增益 (hFE)	5	5	5	5	-
最高工作温度	200 °C	175 °C	175 °C	175 °C	-
最大功率耗散 (Abs)	13 W	40 W	60 W	75 W	-
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	-	200 MHz	-
Base Number Matches	1	1	1	-	-

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器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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