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SD1219

TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ST(意法半导体)
Reach Compliance Code
compliant
最大集电极电流 (IC)
6.5 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
5
最高工作温度
175 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
75 W
表面贴装
NO
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
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参数对比
与SD1219相近的元器件有:SD1015、SD1224-2、SD1013-3、SD1219-5。描述及对比如下:
型号 SD1219 SD1015 SD1224-2 SD1013-3 SD1219-5
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,6.5A I(C),STX-8 RF POWER TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,5A I(C),SOT-121VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,35V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-123VAR RF POWER AMP TRANSISTOR, FT > 300 MHZ,STX-8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant compliant
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO
最大集电极电流 (IC) 6.5 A 4 A 5 A 1 A -
配置 Single SINGLE Single Single -
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 5 5 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 200 °C -
最大功率耗散 (Abs) 75 W 40 W 60 W 13 W -
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 250 MHz - 250 MHz -
Base Number Matches - 1 1 1 -
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器件捷径:
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