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SDF320JDAEGD1N

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Solitron Devices Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
包装说明
FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
HIGH RELIABILITY
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.3 A
最大漏极电流 (ID)
3.3 A
最大漏源导通电阻
1.8 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-MSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
50 W
最大功率耗散 (Abs)
50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
13 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
65 ns
最大开启时间(吨)
35 ns
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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