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SDFC30JABVGSZ

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Solitron Devices Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
零件包装代码
TO-254Z
包装说明
FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
3.6 A
最大漏源导通电阻
2.2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
S-MSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
14 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
74 ns
最大开启时间(吨)
37 ns
文档预览
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