SXTN0604N2,SXTN0604N2 pdf中文资料,SXTN0604N2引脚图,SXTN0604N2电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与SXTN0604N2相近的元器件有：TN0602N2、SJTN0602N2、SXTN0602N2、SXVTN0602N2、SCTN0602N2、SXVTN0604N2、TN0604N2、SCTN0604N2、SJTN0604N2。描述及对比如下：

型号	SXTN0604N2	TN0602N2	SJTN0602N2	SXTN0602N2	SXVTN0602N2	SCTN0602N2	SXVTN0604N2	TN0604N2	SCTN0604N2	SJTN0604N2
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	40 V	40 V	40 V	40 V
最大漏极电流 (ID)	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A	2.5 A
最大漏源导通电阻	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω	0.75 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W	6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Supertex	-	-	-	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex	Supertex

eGalax TouchKit 添加到wince6.0里面: 有wince6.0 添加USB TOUCHKIT 的吗？好像无法控制鼠标。画图就没问题。。有碰到过这...; 490353119 WindowsCE

EEWORLD大学堂----电流感应放大器详解: ...; hi5 模拟电子

求解，如何串行读取12864中的数据。: 如果能给读取数据的程序最好了，谢谢求解，如何串行读取12864中的数据。 LZ的液晶若是支持SPI...; 465055608 微控制器 MCU

ESP32人脸识别开发板ESP-EYE的效果如何？: ESP系列产品的知名度挺高的，对于其网站上新推出ESP-EYE不知有谁测试过？效果如何？对于视觉识...; 杭州摩图科技 DIY/开源硬件专区

求购一块二手的2440开发板: 由于学习上的需要,现向EEWORLD上的网友求购一块2440的开发板?有想转手的麻烦联系一下我...; jxndcl301 淘e淘

【2024 DigiKey 创意大赛】3D打印耗材智能干燥箱-作品提交: 3D 打印耗材智能干燥箱作者：ki14 一、作品简介基于ESP32C6开发板和BM...; ki14 DigiKey得捷技术专区

200MWh工商业储能！美克生能源与三一锂能达成全面合作

　　10月27日，美克生能源与三一锂能签署战略合作协议，双方将在工商业储能领域展开全面合作，涉及规模达200MWh。美克生能源创始人兼董事长魏琼女士与三一集团董事、执行总裁兼总工程师易小刚先生代表双方签署协议。美克生能源总裁刘双宇博士、数字能源副总裁李堃先生、市场开发副总裁张宝磊先生，三一锂能副总经理陈亚东先生、副总经理成传望先生、储能营销总经理敖思超先生出席并见证签约。 ...[详细]
2007索尼杯代表王斌：这次比赛收获颇丰

这次比赛收获颇丰这次比赛我收获颇丰。我们组做的“信号发生器”（采用ARM7与FPGA相结合的技术）获得了“索尼杯”（高职高专组），这并不是一次偶然。我是电子专业的，大一暑假我就开始自学单片机（开始学了51，最后自学了ARM7），还自学了FPGA技术，为了学习我付出了很多，去年我只回家9天，平时除了上课、吃饭，我所有时光几乎都是在实验室度过的。当然了我也收获了不少，厚厚的书我不再恐惧了，同时我...[详细]
Apple Car会是什么呢？未来猜想

不论你喜欢或不喜欢，也没人可以否认Tesla才是智能电动车的开创者和代言人。那么，Apple Car会是什么呢？是更安全、智能、更高端的Tesla，还是什么呢？ Doug Field前不久辞去了Apple Car项目（代号为Titan）负责人一职，转投福特。他的离职引发了一轮新的猜测，会不会给Apple Car项目带来打击。尽管Apple从不会过多对外谈论Apple Car项目，但还是...[详细]
LOTO课2：二极管实践 --- 桥式全波整流

实践用到的资源 4个整流二极管，500R的电阻（做负载），示波器，信号源备注：阻值并不需要准确，这个电阻是作为负载使用的，阻值不能太大，太大的话会把电流限制到很小，可能让整流二极管截止，二极管焊接的时候注意极性。信号源要能产生正负2v以上频率50HZ的正弦交流信号视频中使用OSC482S自带信号源模块产生正负2V的正弦波作为二极管桥式电路的输入，通过示波器两通道分别检测输出...[详细]
一种基于STM32的光功率计的设计与实现

1、引言针对目前市场上传统的光功率计动态范围小、测试精度低、非线性误差明显、档位切换速度慢等缺点，设计了一款基于STM32的高精度光功率计，采用先进的大动态波长响应范围的INGAAS－PIN光电探测器，配合使用ADI公司的光电前置放大器AD795，TI公司的24位模数转换器ADS1232和美信公司的高速多路模拟开关MAＸ4051进行系统的设计，利用STM32控制放大量程增益自动切换技术，消除光...[详细]
无线传感撞上云，移动医疗照护掀起新热潮

随着微机电系统（Micro Electro Mechanical Systems；MEMS）、纳米科技之技术持续精进，致使传感器体积越趋小巧，性能表现不断提升，近年来又适逢移动装置大行其道，多项因子一拍即合，使得结合各式微传感器的无线通讯网络，已然环绕于人们的生活环境，从而掀起一波波全新的应用浪潮。　　不久前有一则报导指出，由于内建蓝牙Smart Ready连接技术的智能手机接续现身，且这些...[详细]
安森美半导体推出两款新型多种拓扑结构DC-DC控制器

2006年11月27日－安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出两款新型多种拓扑结构DC-DC控制器，提供降压、升压或反相转换配置的灵活设计。NCP3063 和 NCP3163在更高的开关频率下工作，提供更高的输出电流并拥有新的保护特性，是传统DC-DC变换器MC34063的升级版本。NCP3063 和 NCP3163适用于多种消费类电子产品应用，...[详细]
2018 年将打响 AI 战争，7 条实战经验帮你战胜恐惧

编者按：不管是对科技巨头还是对创业公司，人工智能可以说是移动互联网时代以来最大的一个机遇。但是，人工智能同时也是让大多数人感到非常困惑的一项新技术，对它的发展现状和未来都非常迷惑。为了消除人们对人工智能的迷惑，本文首先将简单介绍人工智能的一些发展现状，接着会重点罗列几个不同行业的不同企业顺应和利用人工智能潮流的7条实战经验，看人工智能是如何帮助他们在竞争中脱颖而出的。希望这篇文章能让你知道如何...[详细]
ARM基础知识八

简介：ARM编译器中预定义的宏 ***************************************************** ARM编译器中预定义的宏 ***************************************************** ARM编译器预定义了一些宏，这些预定义宏对应一定的数值，有些预定义宏没有对应数值，见下表： _arm _ 使用编...[详细]
OLED“烧屏”测试三星Note8败给苹果iPhone X

近日，有国外媒体做了一项有趣的测试，对iPhone X、三星Note8、三星S7 Edge三款手机进行了长达510小时的“烧屏”测试。iPhone X的OLED异形全面屏供应商是三星，按道理来说最好的屏幕三星自然要留给自己，然而有趣的事情发生了，连续510小时“烧屏”测试下，三星Note8不幸败给了iPhone X。 iPhone X 三星Note8 　　测试方式是这样的，三款手机常亮，显示...[详细]
火炬-军筛多层瓷介片式电容器

最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质构成的。通电后，极板带电，形成电压，但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压的前提条件下的。 ...[详细]
国民技术暴跌两年深港产学研收益跌七成

深港产学研第一次引起资本关注是2007年荣信股份(002123,股吧)的上市，深港产学研是第一大股东。而真正让人们对深港产学研印象深刻的则是国民技术的上市。　　在外界看来，深港产学研是幸运的，又是不幸的。国民技术上市首日即实现了高达146倍的市盈率，随后，深港产学研所持股份的市值更是达到了13.7亿元最高值。但好景不长，很快国民技术的股价在冲到最高点后，连续下跌两年有余。截至9月21日，...[详细]
LED封装的一次光学系统优化设计

研发光学特性优异、可靠性高的封装技术是照明用发光二极管（LED）走向实用化的必经之路，而依靠经验开模对LED封装进行优化，成本是极其巨大的。因此，用数值方法设计性能优异的一次光学系统，对LED的封装意义重大，也是优化LED一次光学系统的唯一途径。 LED光学系统属于一种非成像光学系统，不同于传统的成像光学系统，它注重于能量的分配而不是信息的传递。LED光学系统可以分为三个部分：光源、光学系统和...[详细]
KLA-Tencor成功收购Orbotech 增加半导体封装制造机遇

晶圆检测设备制造商科磊KLA-Tencor周一宣布，它已经达成了收购以色列自动光学检测(AOI)系统供货商奥宝科技(Orbotech Ltd.)的最终协议。科磊将以每股69.02美元的价格(包括每股38.86美元的现金以及0.25股的科磊普通股)收购Orbotech。科磊表示，此次收购将使KLA-Tencor的收入来源多元化，并增加在快速增长的PCB，FPD，封装和半导体制造领域的机会。 ...[详细]
Android JNI用于驱动測试

硬件平台：S3C6410 操作系统：Ubuntu、windows 板子系统：Android 开发工具：jdk。ndk，eclipse 本次測试从linux内核模块编译開始。以S3C6410的pwm驱动为例。 pwm_6410.c: #include linux/module.h #include linux/kernel.h #include linux/fs.h ...[详细]