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VN2222LM

230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Calogic

厂商官网：http://www.calogic.net/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TO-237AA
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25 A
最大漏极电流 (ID)
0.26 A
最大漏源导通电阻
7.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-237AA
JESD-30 代码
O-PBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
VN2222 Series
N-Channel Enhancement-Mode
MOS Transistors
VN2222 Series
FEATURES
CORPORATION
•
Low r
DS(on)
<7.5Ω
•
Switching
•
Amplification
PIN CONNECTIONS
ORDERING INFORMATION
Part
Package
Temperature Range
-55
o
C to +150
o
C
-55
o
C to +150
o
C
VN2222LL
Plastic TO-92
VN2222LM
Plastic TO-237
For sorted chips in carriers see 2N7000
APPLICATIONS
BOTTOM VIEW
BOTTOM VIEW
3
TO-92
(TO-226AA)
2
1
1 2 3
1. SOURCE
2. GATE
3. DRAIN
TO-237
1 2 3
1. SOURCE
2. GATE
3. TAB-DRAIN
CD5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
T
L
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
1
LIMITS
VN2222LL
60
±30
VN2222LM
60
±30
0.26
0.16
1
1
0.4
-55 to 150
300
UNITS
V
T
A
= 25
o
C
T
A
= 100 C
o
o
0.23
0.14
1
A
T
A
= 25 C
T
A
= 100 C
o
0.8
0.32
W
o
Operating Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (1/16" from case for 10 sec.)
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
SYMBOL
R
thJA
1
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
LIMITS
VN2222LL
156
VN2222LM
125
UNITS
K/W
Pulse width limited by maximum junction temperature.
VN2222 Series
CORPORATION
SPECIFICATIONS
a
SYMBOL
STATIC
V
(BR)DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate-Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
70
2.3
60
PARAMETER
TYP
b
LIMITS
MIN
MAX
UNIT
TEST CONDITIONS
V
0.6
2.5
±100
10
500
On-State Drain Current
c
1000
5
750
7.5
7.5
13.5
100
mS
µS
Ω
mA
nA
µA
I
D
= 100µA, V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V, I
D
= 0.2A
V
GS
= 10V, I
D
= 0.5A
T
J
= 125
o
C
V
DS
= 10V, I
D
= 0.5A
V
DS
= 10V, I
D
= 0.2A
r
DS(ON)
Drain-Source On-Resistance
c
2.5
4.4
g
FS
g
OS
DYNAMIC
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING
t
ON
t
OFF
Notes:
Forward Transconductance
c
Common Source Output Conductance
c
230
1200
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
16
11
2
60
25
5
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
Turn-On Time
Turn-Off Time
7
7
10
ns
10
V
DD
= 15V, R
L
= 23Ω, I
D
= 0.6A
V
GEN
= 10V, R
G
= 25Ω
(Switching time is essentially independent of
operating temperature)
a. T
A
= 25
o
C unless otherwise noted.
b. For design aid only, not subject to production testing.
c. Pulse test; PW =
≤300µS,
duty cycle
≤2%.
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参数对比
与VN2222LM相近的元器件有：VN2222LL、VN2222。描述及对比如下：
型号 VN2222LM VN2222LL VN2222
描述 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
端子形式 WIRE WIRE THROUGH-孔
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING 开关
晶体管元件材料 SILICON SILICON 硅
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
零件包装代码 TO-237AA TO-92 -
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code unknow compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 60 V 60 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.25 A 0.099 A -
最大漏极电流 (ID) 0.26 A 0.23 A -
最大漏源导通电阻 7.5 Ω 7.5 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF -
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-92 -
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 -
JESD-609代码 e0 e0 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 1 W 0.4 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
Base Number Matches 1 1 -
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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