Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称:Zetex Semiconductors
厂商官网:http://www.zetex.com/
器件标准:
下载文档型号 | ZVN4106FTC | UZVN4106FTC |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors |
Reach Compliance Code | unknow | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω | 2.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 8 pF | 8 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |