Fairchild

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

富满电子(FM)

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 双N沟道,20V,6A,30mΩ@4.5V

可易亚半导体(KIA Semiconductors)

6A，20V Dual N-CHANNEL MOSFET

合科泰(Hottech)

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道