Fairchild

MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET

ON Semiconductor(安森美)

漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：49mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：357W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 200V 52A