ON Semiconductor(安森美)

漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.2A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

Fairchild

MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET

Rochester Electronics

8200mA, 40V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8

Fairchild

Transistor