ST(意法半导体)
漏源电压（Vdss）：400V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：1Ω @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道
MOSFET N-Ch, 400V-0.85ohms 5.4A
