Infineon(英飞凌)
——
International Rectifier （ Infineon ）
POWER, FET
Infineon(英飞凌)
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 40V 195A
IR
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道 IRN沟道MOS40V1.3mR409ATOP220AB
Kersemi Electronic
POWER, FET
International Rectifier （ Infineon ）
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
——
ISC
N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier （ Infineon ）
POWER, FET
Infineon(英飞凌)
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：294W(Tc) 类型：N沟道
International Rectifier （ Infineon ）
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
——
ISC
N-Channel MOSFET Transistor
Infineon(英飞凌)
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 150uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 40V 195A
IR
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 150uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,250A,2mΩ@10V
International Rectifier （ Infineon ）
POWER, FET
International Rectifier （ Infineon ）
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
——
ISC
N-Channel MOSFET Transistor
Kersemi Electronic
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
——
International Rectifier （ Infineon ）
Brushed Motor drive applications
Kersemi Electronic
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
MOSFET MOSFET, 40V, 120A, 2 90 nC Qg, TO-220AB
Infineon(英飞凌)
Gate Drivers
International Rectifier （ Infineon ）
POWER, FET
IR
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 栅源极阈值电压：3.9V @ 100uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：143W 类型：N沟道 N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V
International Rectifier （ Infineon ）
Brushed Motor drive applications
Infineon(英飞凌)
——
ISC
N-Channel MOSFET Transistor
