2018年01月07日 | AT93C46/56/57/66 EEPROM 芯片通用读写程序

2018-01-07 来源：eefocus

AT93C46/56/57/66 EEPROM 芯片通用读写程序

; 模块包含: READ(读), WRITE(写), WRAL(片写), ERASE(擦除), ERAL(片擦除),
; EWEN(擦写允许), EWDS(擦写禁止).
; 此模块适用于: AT93C46/56/57/66 EEPROM 芯片, 8位(ORG=0)或16位(ORG=1)的读、写、

; 擦除等操作。
; 8位或16操作,只需置标志位SIZE为"0"或为"1"和设置NADDR的位即可,非常方便实用。
;           93C46       93C56       93C57       93C66
;----------------------------------------------------------------------------
; Data bits:    8    16    8    16    8    16    8    16
; Address bits:    7    6    9    8    8    7    9    8
;----------------------------------------------------------------------------

NADDR        EQU    7    ;  8-bit data,地址为7位
;NADDR        EQU    6    ;  16-bit data,地址为6位

SIZE        EQU    F0    ; 0 = 8-bit data, 1 = 16-bit data 标志位

DATA_LO        EQU    2AH    ; 数据低字节
DATA_HI        EQU    2BH    ; 数据高字节
ADDR_LO        EQU    2CH    ; 地址低字节
ADDR_HI        EQU    2DH    ; 地址高字节

DATA01        EQU    30H    ;数据缓存区首址

CS    BIT    P1.0        ; AT93Cxx 片选端
SK    BIT    P1.1        ; 时钟信号输入端
DI    BIT    P1.2        ; 串行数据输入端
DO    BIT    P1.3        ; 串行数据输出端

    DSEG AT 20H

    ORG    60H        ; stack origin
STACK:    DS    20H        ; stack depth
    CSEG
    ORG    0000H        ;
    JMP    ON_RESET
    ORG    0003H
    reti
    ORG    000BH
    reti
    ORG    0013H
    reti
    ORG    001BH
    reti
    ORG    0023H
    reti
    ORG    0080H
    USING    0        ;选择工作寄存器0
ON_RESET:
    MOV    SP, #(STACK-1)

    CLR    CS        ; LOW
    CLR    SK        ; LOW
    SETB    DI        ; HIGH
    SETB    DO        ; HIGH

    CLR    SIZE        ; SPECIFY 8-BIT DATA
;    SETB    SIZE        ; SPECIFY 16-BIT DATA

    JB    SIZE,DATA16    ;SIZE=1时,为16-bit操作
    AJMP    DATA8
;==========================================================
; 8-bit  Byte (SIZE/ORG=0) 程序操作演示

DATA8:
    CALL    Byte_read    ;读出数据,以便观察

    CALL    EWEN        ;擦写允许

    MOV    ADDR_LO, #0    ; 地址
    MOV    DATA_LO, #33H    ; 数据
    CALL    WRITE        ; 指定地址写

    CALL    Byte_read

    CALL    ERAL        ;片擦除 (全部单元置"1")

    CALL    Byte_read

; 8-bit 片写,将芯存储器全部写入55H的数据

;    CALL    EWDS        ; 擦写禁止

    MOV    DATA_LO, #55H    ; 片写数据(片写之前最好片擦除)
    CALL    WRAL        ; 片写

    AJMP    DATA8
;==========================================================
;==========================================================
; 16-bit  Word (SIZE/ORG=1) 程序操作演示

DATA16:
    CALL    Word_read    ;读8个单元数据,观察

    CALL    EWEN        ;擦写允许

    CALL    ERAL        ;片擦除 (全部单元置"1")

    CALL    Word_read

    MOV    ADDR_LO, #0    ; 向指定地址写数据
    MOV    DATA_LO, #55H    ; DATA,数据低字节
    MOV    DATA_HI, #0AAH    ; DATA,数据高字节
    CALL    WRITE        ; 指定地址写

    CALL    Word_read

; 将芯片存储器全部写入0AAH(高)和55H(低)的数据

    MOV    DATA_LO, #55H    ; DATA
    MOV    DATA_HI, #0AAH    ; DATA
    CALL    WRAL        ;

    CALL    Word_read

;    CALL    EWDS        ; 擦写禁止

; 将指定单元的内容擦除(置为"1")
    MOV    ADDR_LO, #0    ;
    CALL    ERASE        ; 将指定单元(00H 01H)擦为"1"

    AJMP    DATA16
;==========================================================
;读 Read (byte if SIZE/ORG=0, word if SIZE/ORG=1).
Byte_read:
    MOV    R0,#DATA01    ;缓存区首址
    MOV    ADDR_HI,#0
    MOV    ADDR_LO,#0    ;指向AT93CXX首址
    MOV    R7,#8        ;字节数
READ01:
    CALL    READ
    MOV    A,DATA_LO
    MOV    @R0,A
    INC    R0
    INC    ADDR_LO
    DJNZ    R7,READ01
    RET
;==========================================================
;读 Read ( word if SIZE/ORG=1).低地址为低字节单元,高地址为高字节单元
Word_read:
    MOV    R0,#DATA01    ;缓存区首址
    MOV    ADDR_LO,#0
    MOV    R7,#8        ;字节数
WORD01:
    CALL    READ        ;读数据
    MOV    A,DATA_LO    ;低字节内容
    MOV    @R0,A
    INC    R0
    MOV    A,DATA_HI    ;高字节内容
    MOV    @R0,A
    INC    R0
    INC    ADDR_LO
    DJNZ    R7,WORD01
    RET
;----------------------------------------------------------
;==========================================================
;名称: 读指令(READ指令)
;功能: 从指定的地址单元中把数据读出
;----------------------------------------------------------
READ:
    SETB    CS        ;片选置1
    MOV    DPL, #110B    ;起始位和操作码"110"
    MOV    B, #3
    CALL    OUTDATA
    MOV    DPL,ADDR_LO    ;低字节地址
    MOV    DPH,ADDR_HI    ;高字节地址
    MOV    B,#NADDR    ;地址位数(8-bit data,NADDR=7)
    CALL    OUTDATA        ;输出读/写单元地址
    CALL    INDATA
    CLR    CS
    RET
;==========================================================
;名称: 写指令(WRITE 指令)
;功能: 将数据写入到指定的地址单元中
;----------------------------------------------------------
WRITE:
    SETB    CS        ;
    MOV    DPL, #101B    ;起始位和操作码"101B"
    MOV    B, #3        ;位数
    CALL    OUTDATA        ;输出数据
    MOV    DPL, ADDR_LO
    MOV    DPH, ADDR_HI
    MOV    B, #NADDR
    CALL    OUTDATA
    MOV    DPL, DATA_LO
    JB    SIZE, EE61    ;SIZE=0时,8bit; SIZE=1时,16bit;
    MOV    B, #8
    JMP    EE62
EE61:
    MOV    DPH, DATA_HI
    MOV    B, #16
EE62:
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    CALL    STATUS        ; 延时10ms
    RET
;==========================================================
;名称: 片写指令(WRAL 指令)
;功能: 将命令中指定的数据写入整个存贮器阵列
;----------------------------------------------------------
WRAL:
    SETB    CS        ;片选置1,选中芯片
    MOV    DPTR, #(10001B SHL (NADDR-2))
    MOV    B, #(NADDR+3)
    CALL    OUTDATA
    MOV    DPL, DATA_LO
    JB    SIZE, EE71    ; SIZE=0时,8bit; SIZE=1时,16bit;
    MOV    B, #8
    JMP    EE72
EE71:
    MOV    DPH, DATA_HI
    MOV    B, #16
EE72:
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    CALL    STATUS        ; 延时10ms
    RET
;==========================================================
;名称: 地址擦指令(ERASE 指令)
;功能: 将指定地址中所有数据位都为置为"1"
;----------------------------------------------------------
ERASE:
    SETB    CS
    MOV    DPTR, #111B    ;擦除指令操作码"111B"
    MOV    B, #3
    CALL    OUTDATA
    MOV    DPL, ADDR_LO    ;地址低位
    MOV    DPH, ADDR_HI    ;地址高位
    MOV    B, #NADDR    ;
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    CALL    STATUS        ; 延时10ms
    RET
;==========================================================
;名称: 片擦指令(ERAL 指令) ,
;功能: 将整个存储器阵列置为"1"
;----------------------------------------------------------
ERAL:
    SETB    CS
    MOV    DPTR, #(10010B SHL (NADDR-2))    ;左移
                ; ERAL指令操作码和地址为: 10010B
    MOV    B, #(NADDR+3)
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    CALL    STATUS        ; 延时子程序
    RET
;==========================================================
;名称: 擦/写允许(EWEN 指令)
;功能: AT93CXX在上电复位后,芯片处于擦/写不允许状态,
;      EWEN 指令将芯片置为可编程状态,即可擦/写
;----------------------------------------------------------
EWEN:
    SETB    CS
    MOV    DPTR, #(10011B SHL (NADDR-2)) ;将10011B向左移((NADDR-2)位
                ; EWEN 指令: 操作码的地址为: 10011B
    MOV    B, #(NADDR+3)
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    RET
;==========================================================
;名称: 擦/写禁止(EWDS 指令)
;功能: 使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同.
;----------------------------------------------------------
EWDS:
    SETB    CS
    MOV    DPTR, #(10000B SHL (NADDR-2))
    MOV    B, #(NADDR+3)
    CALL    OUTDATA
    CLR    CS
    RET
;==========================================================
;延时子程序
;----------------------------------------------------------
STATUS:
    PUSH    B
    SETB    DO        ; FLOAT PIN
    SETB    CS
    MOV    B, #220        ; 220 * 50 us = 11 ms
EE40:
    PUSH    B        ; 2 us
    MOV    B, #22        ; 2 us
    DJNZ    B, $        ; 2 us * 22
    POP    B        ; 2 us
    JB    DO, EE41
    DJNZ    B, EE40
    SETB    C
    JMP    EE42
EE41:
    CLR    C
EE42:
    CLR    CS
    POP    B
    RET
;==========================================================
INDATA:
    SETB    DO
    CALL    SHIN
    JNB    SIZE, EE21    ; SIZE=0时,8bit; SIZE=1时,16bit
    MOV    DATA_HI, A    ; SAVE HIGH BYTE
                ; SIZE=1时,16bit
    CALL    SHIN
EE21:                ; SIZE=0时,8bit
    MOV    DATA_LO, A    ; SAVE LOW BYTE
    RET
;==========================================================
;读一个字节子程序, 读回的数据在A中
;----------------------------------------------------------
SHIN:
    PUSH    B
    CLR    SK
    MOV    B,#8
EE30:
    SETB    SK
    NOP
    MOV    C,DO
    RLC    A
    CLR    SK
    DJNZ    B,EE30
    POP    B
    RET
;==========================================================
;向AT93CXX 写入地址
;----------------------------------------------------------
OUTDATA:
    PUSH    B
    MOV    A,B
    CLR    C
    SUBB    A,#8
    JC    EE6
    JZ    EE5
    MOV    B,A
    CLR    C
    SUBB    A,#8
    JC    EE2
    JNZ    EE9
    MOV    A,DPH
    JMP    EE4
EE2:
    PUSH    B
    MOV    A,DPH
EE3:
    RR    A
    DJNZ    B,EE3
    POP    B
EE4:
    CALL    SHOUT
    MOV    B,#8
EE5:
    MOV    A, DPL
    JMP    EE8
EE6:
    PUSH    B
    MOV    A,DPL
EE7:
    RR    A
    DJNZ    B,EE7
    POP    B
EE8:
    CALL    SHOUT
EE9:
    SETB    DO
    POP    B
    RET
;==========================================================
; 写一个字节子程序
; 入口: 写入数据须事先存入A中.
;----------------------------------------------------------
SHOUT:
EE50:
    CLR    SK
    RLC    A
    MOV    DI,C
    NOP            ; DELAY MIN 400 ns
    SETB    SK
    DJNZ    B,EE50
    CLR    SK
    RET
;==========================================================
;==========================================================

END

AT93C46 EEPROM 读写程序

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