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2018年02月27日 | 慧荣科技发布全球首款PCIe NVMe单芯片 SSD存储解决方案
2018-02-27
2018年2月27日，德国纽伦堡——在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO）今日发布了最新一代的支持PCIe Gen3 NVMe 1.3的FerriSSD®单芯片固态硬盘家族，新产品系列包含支持PCIe Gen3 x4 的SM689及支持PCIe Gen3 x 2的SM681，其连续读取速度最高达到1.45GB/s, 连续写入速度最高达到650MB/s, 大幅提升SSD和主处理器之间的数据传输速度。慧荣最新款PCIe FerriSSD产品提供从16GB至256GB等多种存储容量, 拥有企业级数据完整性和可靠性功能,并采用慧荣独有的端到端数据保护，ECC代码纠错技术和数据缓存技术。
全新的PCIe FerriSSD系列包括SM689和SM681，而FerriSSD家族之前推出的SATA (SM619)和PATA (SM601)芯片不仅产量高，应用范围也广，涵盖了汽车系统、工业设备和服务器等各个领域。FerriSSD单芯片固态硬盘能透过韧体提供客制化的服务，为严苛使用环境的应用提供极佳的数据完整性和可靠性。
“FerriSSD存储解决方案受到了汽车和工业设计人员的广泛欢迎，现在他们可以使用可靠的固态硬盘产品来替换原有的硬盘驱动器，”慧荣科技市场营销暨OEM事业资深副总裁段喜亭表示。“新的PCIe NVMe接口能为人工智能及自动驾驶等高效能存储应用提供极佳的存储方案。”
SM689和SM681还支持增强的可靠性和数据完整性，充分迎合了当下汽车、商业、企业与工业应用苛刻的需求。其完备的数据完整性特色包括以下几个方面：
端到端数据路径保护，对SSD的SRAM、DRAM以及主NAND闪存阵列应用了ECC代码纠错技术
具有数据冗余功能的DRAM缓存。如果在数据读写期间突然出现NAND介质缺陷，FerriSSD可使用DRAM中的冗余数据来确保正确完成NAND阵列的数据读写，而不会延迟主处理器的操作
采用混合架构，将单一磁盘划分为单层单元（SLC）和多层单元/三层单元（MLC/TLC）等不同类型的存储区域，提供了快速的访问速度和卓越的数据保存能力
Intelligent Scan/DataRefresh功能，防止高温操作环境下出现更高的数据丢失率。这种预防措施在SSD运行过热时会自动增加扫描频率，刷新存储器阵列的扇区以防止潜在的数据丢失。
NANDXtend技术，集成了高性能的LDPC ECC引擎和独特的Page RAID算法，使SSD可以从因高温操作环境或数据保存故障而导致的页面缺陷中快速恢复
16mm x 20mm (SM689)及11.5mm x 13mm (SM681)单芯片
支持摄氏-45至85度工业级温度
16GB至256GB容量可供选择
史海拾趣
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