历史上的今天
今天是：2024年10月11日（星期五）
2018年10月11日 | 关于氮化物半导体掺杂研究取得了重大进展
2018-10-11 来源：北京大学
美国物理学会Physical Review Letters（PRL）期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。
III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体具有一系列优异的物理、化学性质，是发展半导体照明、新一代移动通信、新一代通用电源、新能源汽车、固态紫外光源等不可替代的新型半导体材料。掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一，确定C杂质在GaN中的晶格位置对于解决上述问题至关重要。
由沈波教授领导的北京大学宽禁带半导体研究团队与其合作者近期在这一问题上取得了重要进展。该团队与中科院苏州纳米所和中国科技大学等合作单位采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
不同偏振下的拉曼光谱
北京大学博士生吴珊为该论文的第一作者，杨学林、沈波为该论文的共同通讯作者。合作者包括中科院苏州纳米所的石林老师、徐科老师，北大工学院的张青老师，中国科技大学的戚泽明老师，以及北京大学宽禁带半导体研究中心的数位老师和同学。该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、2011协同创新中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室等项目的资助。
史海拾趣
|
底薪 + 提成 + 分红 请Linux Wince 软硬件合作高手 行业PDA研发、销售 ARM7 ARM9 ARM11硬件平台 WINCE LINUX软件平台 QQ：1459635026 … 查看全部问答＞ |
|
最近在做FPGA控制TLC5540进行AD采集的实验，根据5540的时序图可知，结果AD转换后的数字信号需要在2.5个采集时钟后才会输出。请教在FPGA中如何处理2.5个采集时钟，可否用一计数器? … 查看全部问答＞ |
|
作者：武汉华嵌嵌入式培训中心 技术部 以下和大家分享Linux平台下Qt两种多线程编程的方式： 1、使用Linux平台下的线程函数。以下是给出的代码片段： //此处为连接信号和槽，通过Qt界面中两按钮来控制两个槽函数connect(pthred1start ...… 查看全部问答＞ |
|
购买的SEED-EXP430F5529到了！ 打开的时候，我就被她美丽的外表折服啦！ 自带的LCD居然是，那种类似于毛玻璃的透明效果！！貌似没有背光！决定查阅资料后自行添加！ 运行demo程序后！我更加震惊了！整个人都思密达啦！ 切换功能居然用的是 ...… 查看全部问答＞ |
|
近来不断有消息爆出：中国移动今年必将大规模推出4G服务，中国移动开启4G时代，中国移动透露4G手机2月已供货等等的消息。中国移动为何如此急吼吼地要上4G网络？在工信部还没有4G牌照发放计划的时候大肆宣传其4G网络的试点进度、上市日程及所谓的测 ...… 查看全部问答＞ |
|
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:09 编辑 我做了一个PFC电路，用的TI的UCC28019，电流较小时还行，在电流较大时电流在尖峰发生了震荡是怎么回事呢，求指导？？？波形图如下，蓝色为电流波形，黄色为电压波形 … 查看全部问答＞ |