2018年12月25日 | STM32F407 Flash操作笔记

简述

STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种：扇区擦除（最小单元16K）和整片擦除。在实际应用中，为满足重要信息的存储，需将信息存入FLASH中，针对以上两种擦除方式，扇区擦除更符合实际的需要。 

参考手册： 

写FLASH操作

经过以上五个步，就可以擦除某个扇区。但是实际运用过程中，一个扇区只存储一个信息或标志，会造成资源严重浪费。现采用缓存的方式，先读取当下扇区的数据，将读取的数据和要写入的数据组合，待擦除后再次写入。

代码片

写FLASH操作

/*

 *  WriteAddr： 起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data

 *  pBuffer：   数据指针

 *  NumToWrite：字（u32）数

 */

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)

{ 

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

    u32 addrx=0;

    u32 endaddr=0;  

  if(WriteAddr

    FLASH_Unlock();//解锁                                 

    FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存

    addrx=WriteAddr;                //写入起始地址

    endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入结束地址

    if(addrx<0X1FFF0000)            //是否为主存储区

    {

        while(addrx

        {

            if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除

            {   

                status=FLASH_EraseSector(GetSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间！！

                if(status!=FLASH_COMPLETE)break;    //异常

            }else addrx+=4;

        } 

    }

    if(status==FLASH_COMPLETE)

    {

        while(WriteAddr

        {

      if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据

            { 

                break;  //写入异常

            }

            WriteAddr+=4;

            pBuffer++;

        } 

    }

    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);//FLASH擦除结束，开启数据缓存

    FLASH_Lock();//上锁

    Printf("Flash status :%d\r\n",status);

}

数据流存储

#define SectorLen 128 //数据长度 128 * 4 = 512 结合实际需要长度调整

/*

 *  (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data

 *  FreeStart( 0x08008000 )~FreeEnd( 0x08010000 )

 */

void SaveDataToFlash( u32 address, u32 data )

{

    FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

    u32 site[SectorLen] = {FreeStart}, FlashBuffer[SectorLen] = {0};

    for ( u8 i = 0; i < SectorLen; i ++ )//读取扇区数据，随即擦除

    {

//      if ( STMFLASH_ReadWord( site[i] ) != 0XFFFFFFFF)//0XFFFFFFFF代表无数据

        {

            FlashBuffer[i] = STMFLASH_ReadWord( site[i] );

            site[ i + 1 ] = site[i] + 4;

            if ( address == site[i] )

                FlashBuffer[i] = data;

        }

    }

    FLASH_Unlock();//解锁

    FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存

    status = FLASH_EraseSector( GetSector( address ), VoltageRange_3 );//VCC=2.7~3.6V之间！！

    if ( status == FLASH_COMPLETE )

    {       

        for (u8 i = 0; i < SectorLen; i ++)

        {

            if ( FLASH_ProgramWord( site[i], FlashBuffer[i] ) != FLASH_COMPLETE )//写入数据

            { 

                break;  //写入异常

            }

        } 

    }

    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束，开启数据缓存

    FLASH_Lock();//上锁

    Printf("Save status = %d\r\n",status);

//  return addr;

}

读FLASH操作

STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：data=(vu32)addr; 

将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。

代码片

/*

 *faddr :读地址

 *return:对应数据

 */

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

    return *(vu32*)faddr; 

}

//读FLASH操作

/*

 *  ReadAddr  ：起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data

 *  pBuffer   ：数据指针

 *  NumToRead ：字（4位）数

 */

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)     

{

    u32 i;

    for(i=0;i

    {

        pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节

        ReadAddr+=4;//偏移4个字节

    }

}

调试注意事项

在FLASH读写操作时，未使用数据类型（u32），致读到的数据一直为：-1（0xFFFF FFFF 默认值，即该地址写数据失败） ；

主存储区

小结：借助串口打印调试，分析问题，数据读写问题不大o(￣︶￣)o。