2019年03月07日 | STM32之FSMC-SRAM例程

SRAM使用的是55ns的IS62WV51216，需要先分析IS62WV51216对读写的时序要求。

读时序

分析时序图，可以提取如下信息（不分析高低字节位和使能位，因为FSMC访问模式是一直保持的）：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据

写时序

分析时序图，可以提取如下信息（不分析高低字节位和使能位，因为FSMC访问模式是一直保持的）：整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入

FSMC时序配置

根据手册模式1和模式A一般用于SRAM操作。注意：根据手册，模式1具有相同的读写时序，而模式A则是独立的读写时序。

下面分别结合两种模式进行时序分析：

模式1

根据提取出来的要求：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据、整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入。

得出：

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns

tHCLK * DATAST >= 45ns

STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST >= 4且ADDSET >= 0。

 模式A

根据提取出来的要求：整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据

得出：

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * (DATAST + 1) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)

STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST = 1且ADDSET >= 1，DATAST >= 2且ADDSET >= 0。

根据提取出来的要求：整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns

tHCLK * DATAST >= 45ns

STM32F103的HCLK配置为72MHz，则tHCLK=13.8ns。因此，DATAST >= 4且ADDSET >= 0。

源码例程

以模式A为例

#include "stm32f10x.h"

/* RCC时钟配置 */

void RCC_config()

{ 

ErrorStatus HSEStartUpStatus;

/* RCC寄存器设置为默认配置 */

RCC_DeInit();

/* 打开外部高速时钟 */

RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);

/* 等待外部高速时钟稳定 */

HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();

if(HSEStartUpStatus == SUCCESS) 

{ 

/* 设置HCLK = SYSCLK */

RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);

/* 设置PCLK2 = HCLK */

RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);

/* 设置PCLK1 = HCLK / 2 */

RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);

/* 设置FLASH代码延时 */

FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);

/* 使能预取址缓存 */

FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);

/* 设置PLL时钟源为HSE倍频9 72MHz */

RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);

/* 使能PLL */

RCC_PLLCmd(ENABLE);

/* 等待PLL稳定 */

while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);

/* 设置PLL为系统时钟源 */

RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);

/* 等待系统时钟源切换到PLL */

while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);

}

}

/* GPIO配置 */

void GPIO_config(void)

{

GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE | RCC_APB2Periph_GPIOF | RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | 

GPIO_Pin_8| GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | 

GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;

  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;

  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | 

GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | 

GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;

  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | 

GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | 

GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;

  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | 

GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_10;

  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

}

/* FSMC配置 */

void FSMC_SRAM_Init(void)

{

FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;

FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readTiming;

FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef WriteTiming;

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC, ENABLE);

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3; //Bank

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; //数据和地址线是否复用

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM; //存储器类型

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; //存储器数据宽度  

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable; //是否进行突发模式访问

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; //等待信号极性(突发模式下)

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable; //保留位

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;    //是否支持非对齐操作(突发模式下)

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  //WAIT信号有效时机(突发模式下)

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //是否允许写操作

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  //是否使用WAIT信号(突发模式下)

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; //是否使用读写不同时序

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; //是否允许突发写操作

readTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间

readTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间

readTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x02; //数据保持时间

readTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

readTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

readTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

readTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A

WriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间

WriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间

WriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x04; //数据保持时间

WriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

WriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

WriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

WriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readTiming;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &WriteTiming;

FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);

FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);

}

uint8_t testsram[1000000] __attribute__((at(0x68000000)));

uint8_t test;

int main(void)

{

uint8_t count = 0;

/* 时钟配置 */

RCC_config();

/* GPIO配置 */

GPIO_config();

/* FSMC配置 */

FSMC_SRAM_Init();

for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)

testsram[ts] = count++;

for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)

test = testsram[ts];

while(1)

{

}

}