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2019年12月11日 | 28 nm FD-SOI工艺，莱迪思全新低功耗FPGA技术平台问市
2019-12-11 来源：EEWORLD
莱迪思Nexus技术平台采用三星代工厂28 nm FD-SOI工艺，提供解决方案、架构和电路层面的创新，实现低功耗网络边缘应用
莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布推出全新低功耗FPGA技术平台——Lattice Nexus™。该技术平台旨在为各类应用的开发人员带来低功耗、高性能的开发优势，如物联网的AI应用、视频、硬件安全、嵌入式视觉、5G基础设施和工业/汽车自动化等。无论是在解决方案、架构还是电路设计层面，莱迪思Nexus均展现出卓越的创新，能够大幅降低功耗且提供更高的系统性能。
莱迪思半导体研发副总裁Steve Douglass表示：“莱迪思Nexus技术平台增强了FPGA的并行处理和可重新编程能力，并且拥有网络边缘AI推理和传感器管理等当今技术趋势要求的低功耗高性能特性。该平台还能加快莱迪思今后发布新产品的速度。此外，莱迪思Nexus技术平台还针对快速增长的应用提供易于使用的解决方案集合，即使客户不擅长FPGA设计，也能帮助他们更快地开发其系统。”
莱迪思Nexus技术平台提供创新的系统级解决方案，提升了易用性。这些解决方案集合了设计软件、预置的软IP模块、评估板、套件和参考设计，帮助客户更快地构建系统。它们主要针对嵌入式视觉等增长迅猛的应用领域，包括了传感器桥接、传感器聚合和图像处理等解决方案。
莱迪思Nexus技术平台拥有创新的架构，能在行业领先的低功耗条件下优化系统性能。例如，该平台优化的DSP模块和更大的片上存储器可实现低功耗高性能的计算，如AI推理算法，并且运行速度是之前莱迪思FPGA的两倍而功耗减少一半。
莱迪思Nexus还使用创新的电路设计为客户提供各类重要功能，包括可编程的功耗与性能优化以及针对瞬时启动应用的快速配置。
莱迪思Nexus是基于三星的28 nm耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）工艺技术开发的。与bulk CMOS工艺相比，这项技术的漏电降低了50％，是莱迪思Nexus低功耗技术平台的最佳选择。
Samsung Foundry营销副总裁Ryan Lee表示：“我们很高兴能与莱迪思合作，将28纳米FDS制造工艺的优势引入低功耗FPGA市场。莱迪思将其在FPGA架构设计方面的创新和专长与我们行业领先的差异化代工技术相结合，将在未来几年继续保持在低功耗FPGA领域的领先地位。”
史海拾趣
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