2021年12月19日 | 捷捷微电：部分MOSFET产品可用于光伏逆变器

2021-12-19 来源：爱集微

12月16日，捷捷微电在互动平台表示，公司有部分MOSFET产品可应用于光伏逆变器领域，目前仍在样品阶段。公司在新能源汽车方面，有部分TVS产品用于充电桩上，主要是提供安全保护。

据捷捷微电透露，公司侧重于功率半导体器件IDM模式，功率半导体“车规级”产业化项目，生产的车规级大功率器件主要应用于新能源汽车电子（如电机马达和车载电子）、5G核心通信电源模块、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网、工业控制和消费类电子等领域，此外，公司相关MOS产品还可以应用于锂电池保护领域。

捷捷微电称，由公司全资子公司捷捷半导体承建的“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”是我们的重点项目之一。

理论上讲芯片的版面越大效率越高，就功率半导体器件而言，要结合市场份额与产业趋势和投资规模、产业周期、生产工艺等前置条件与之相匹配。即功率半导体器件需要不同的芯片产线、工艺和封测能力相关联（IDM具备核心竞争力），并对应不同的市场细分领域和市场份额。

从效率而言，芯片产线版面与市场份额以及效率与边际等是正相关的。目前国内的晶闸管和部分二极管、防护器件等仍以4寸线为主流（国外5、6寸为主流）；平面可控硅芯片、肖特基二极管、IGBT模块配套用高电压大通流整流芯片，低电容、低残压等保护器件芯片和部分MOSFET等以6寸线为主流；中高端MOSFET、IGBT等以8寸片线为主流，还有部分IGBT需要12寸线支持（国外为主）等。公司MOS系列产品目前采用的是Fabless+封测的运营模式，6英寸与8英寸芯片是流片的。

资料显示，捷捷微电与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2021年第三季度末，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利4件，此外，公司还有3个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

MOSFET

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