如何理解单片机应用中三极管工作在饱和区

判断三极管是否进入饱和区的标准是 Ib×β > Ic(max),因为在上大学的时候模拟电路书上写的是 对于NPN三极管 处于饱和区的条件是Ube>0 Ubc>0，可是在单片机应用中，一般集电极通过电阻接Vcc，所以基极的电压就不可能比集电极高，所以我觉得也可以这样理解，Ib增大，Ic = Ib×β 也随着增大，如果  Ib 增大到一定的值，Ic不随着Ib一起增大时，三极管就进入了饱和区  如下图

计算R37 R38使三极管工作在饱和区。

当三极管工作在饱和区时，饱和管压降Uces很小，一般的硅三极管的Uces<0.4V,在这里我把它忽略不计，则 Ic(max) = 5V/R38 (R38=2K)=2.5mA,一般三极管的β=100，那么 Ib = 2.5mA/100 = 25uA 让基极电流Ib > 25uA 三极管就工作在饱和区.V(Trig)=3.3V Vbes = 0.7V  所以R37≤ (3.3-0.7) / 25uA ≈ 100K  取R37=1K ，当然R37也不能太小，如果太小的话导致基极电流太大，有可能烧坏单片机或者三极管。