铠侠雄心壮志，目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

6 月 28 日消息，铠侠（Kioxia）结束为期 20 个月的 NAND 闪存减产计划，日本两座工厂生产线开工率提升至 100% 之后，上周披露了其 3D NAND 路线图计划。

根据 PC Watch 和 Blocks & Files 的报道，铠侠目标在 2027 年达到 1000 层的水平。

IT之家援引媒体报道，3D NAND 在 2014 年只有 24 层，到 2022 年达到 238 层，8 年间增长了 10 倍。而铠侠目标以平均每年 1.33 倍的速度增长，到 2027 年实现 1000 层堆叠。

三星在上个月表示，计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，其中铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）将成为这项成就的关键。

在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS） FeFET 架构中，使用 FE 开关相互作用，来显著提高性能，表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

在 3D NAND 闪存的层数挑战上，铠侠似乎比三星更有野心。

首先是政策和资本扶持，铠侠受益于内存行业的复苏，最近获得了日本政府的补贴和银行财团的额外融资，此外该公司还计划今年年底 IPO 上市，让铠侠有充足的资金，追求技术进步和成本优化。

其二是技术演进和积累，铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit / mm2，实现 1000 层。

提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是在芯片上堆叠更多层，因为每层的边缘都需要暴露以进行字线电气连接。这为芯片提供了阶梯状轮廓，随着层数的增加，阶梯所需的芯片面积也会增加。

铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000  层技术，这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而，要达到这一里程碑，就必须从 TLC（每单元 3 位）过渡到 QLC（每单元 4  位），甚至可能过渡到 PLC（每单元 5 位）。其中涉及的技术挑战是巨大的，铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。