意法半导体：以FD-SOI技术布局未来市场

2025年9月25日，“第十届上海FD-SOI论坛”在上海举办。本次论坛由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。意法半导体（ST）执行副总裁，中国区总裁曹志平分享了ST如何以FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）推动创新。

曹志平指出，FD-SOI技术拥有独特的结构设计，在能效提升、模拟性能优化、抗干扰能力增强等方面具备显著优势，尤其适用于车规级、工业级等对稳定性要求极高的关键应用场景。该技术无需大幅调整现有制造流程与设计环节，可充分复用当前EDA工具与设备资源，显著降低技术落地成本与难度。

目前，ST已基于28 nm FD-SOI技术实现车规级MCU量产，该类产品在汽车运行状态下漏电率降低35%，功耗减少50%，待机模式下功耗更是降低近99%；同时，得益于 FD-SOI技术固有的抗辐射特性，产品在安全关键环境中能有效减少甚至避免辐射诱发的错误。

存储技术方面，意法半导体选择相变存储器（PCM）与FD-SOI技术结合，并推出基于Arm架构的Stellar系列FD-SOI车规MCU产品，具备高性能计算、安全防护、高效数据管理及卓越能效管理能力，可满足多领域复杂应用需求。ST的eNVM基于28nm与18nm FD-SOI工艺的MCU，其存储密度可达竞品两倍以上，为高存储需求场景提供了更优解。

在技术迭代与供应链布局上，ST正与三星合作开发18nm FD-SOI 技术，该技术在能效与成本平衡上优势更突出，未来可分别从韩国及法国的晶圆厂实现产品供应，通过双产地布局保障供应链稳定性，应对各类潜在风险。

18nm FD-SOI技术不仅性能功耗比提升超50%、存储密度与数字密度分别提升2.5倍和3倍，还能将噪声系数改善3dB，在高频加速器、低功耗设备、大芯片集成存储等领域应用潜力巨大，目前已向部分客户提供样品，预计明年正式量产。

除车规级MCU外，ST已将28nm FD-SOI 技术应用于成像传感器与雷达技术，同时与全球低轨卫星企业合作，相关产品出货量持续增长且未来前景广阔。

封装技术方面，公司采用面板级封装（PLP，Panel Level Packaging）提升量产效率，依托法国工厂及多场地协同能力，实现先进光学产品与数字产品的高效研发与量产。

业务模式上，ST虽以 IDM（垂直整合制造）模式为主，但具备高度灵活的合作模式，可根据客户需求提供从芯片设计、制造到供应链服务的全链条支持，或仅参与价值链中的特定环节。

曹志平强调，对于中国市场，ST高度重视，通过设计支持、本地化供应链布局及全球化业务模式结合，为中国客户与合作伙伴提供定制化服务，同时也欢迎中国晶圆厂等企业寻求合作，共同拓展FD-SOI技术应用场景。

在介绍最后，曹志平总结道，ST自2012年起便深耕FD-SOI技术，2013年推出首款基于该技术的手机应用处理器，如今通过FD-SOI与PCM技术结合，在嵌入式非易失性存储领域形成独特竞争力。未来，公司将持续联合全球合作伙伴，推动FD-SOI技术在通用MCU、工业嵌入式等领域的创新应用，为行业发展注入新动能。