Intel、台积电、三星激战2nm，先进工艺制程进度一览

4月3日消息，日前举办的Vision 2025大会上，Intel正式宣布18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。

此举为“四年五个节点（5N4Y）”计划立下关键里程碑。按照Intel的愿景，18A将是其反超台积电、重夺半导体工艺世界第一的关键节点。

值得关注的是，此为新任华人CEO陈立武接棒后首度公开亮相，业界解读Intel此举在向台积电、三星等竞争对手展示技术肌肉。

Intel 18A工艺将全球首次同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET栅极环绕（GAA）晶体管技术，台积电则会在今年下半年2nm使用Nanosheet晶体管技术、2026年下半年导入超级电轨（Super Power Rail），2027年进行1.4nm风险性试产。

半导体从业者透露，若Intel 18A推进顺利，将会比台积电2nm更早导入晶背供电技术。

至于三星，虽然最早导入GAAFET晶体管技术，但良率始终未达量产水准。目前则主要关注三星自家Exynos 2600芯片，是否会在5月投入生产。

不过，三星预计2027年才会在SF2Z加上背面供电技术，推进上较竞争对手相对缓慢。

在三巨头往2nm前进之际，日本Rapidus也不容小觑。据悉，其北海道千岁市的2nm晶圆厂试产产线计划将在本月启用，瞄准2027年开始量产。

综合来看，台积电在先进工艺制程上有比较明显的速度优势，Intel正在新CEO的带领下奋起直追，成败关键就看18A是否能如期量产达成目标。