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F423MR12W1M1B11BOMA1

IGBT 模块 沟道 全桥 1200 V 50 A 0.2 W 底座安装 AG-EASY1BM-2

产品类别:分立半导体    晶体管   

制造商:Infineon(英飞凌)

官网地址:http://www.infineon.com/

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F423MR12W1M1B11BOMA1概述
Infineon 1200V MOSFET 模块使用高电流密度和低电感设计。

集成 NTC 温度传感器
压配触点技术
F423MR12W1M1B11BOMA1规格参数
参数名称
属性值
类别
分立半导体;晶体管
厂商名称
Infineon(英飞凌)
系列
EasyPACK™
包装
托盘
IGBT 类型
沟道
配置
全桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.68 nF @ 800 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY1BM-2
基本产品编号
F423MR12
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BSZ021N04LS6ATMA1 CAB011M12FM3 C3M0032120K IPW60R024CFD7XKSA1 C3M0075120J IPLK70R750P7ATMA1 BUK7V4R2-40HX DMTH69M8LFVW-7 EM6K7T2CR ACPL-K73A-560E
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