发布时间：2024-02-29

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASF...

发布时间：2024-02-29

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围， 可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (AS...

发布时间：2023-10-10

【2023年10月10日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容 。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低...

发布时间：2022-06-10

英搏尔率先采用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件 【2022年6月10日，德国慕尼黑讯】中国领先的 车载逆变器 供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司最新推出的 750 V 车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装...

发布时间：2022-03-21

【2022年3月21日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司 宣布推出 采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。 该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质， EDT2 IGBT 符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用...

发布时间：2019-11-22

　　全自动生化分析仪是医院的常规设备，是用来检验病人体液中各种化学物质的一种仪器，从二十世纪六十年代第一台生化分析仪诞生以来，它的发展可谓突飞猛进。目前的生化分析仪在精确度，制造精度以及功能等各方面都已经达到了非常高的水平。我国的生化分析仪制造水平与国际水平相比有很大的差距，我国目前生产的小型全自动生化分析仪，由于仍然使用流动比色皿，其分析速度比较低，精度也难以达到较高的水平...

发布时间：2019-01-15

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商--- 大联大控股 宣布，其旗下 世平推出基于德州仪器（TI）C2000™微控制器的分立式旋转变压器前端参考设计。 大联大世平推出基于TI C2000™微控制器且精度为±0.1°的分立式旋转变压器前端参考设计。该参考设计是适用于旋转变压器感测器的励磁放大器和模拟前端，在尺寸大小仅为1平方英寸的印刷电路板（PCB）上实施分立式元件和...

发布时间：2017-04-06

如果你曾经在电源设计公司听到过员工的走廊谈话，他们很可能是在激烈争论 75W 电源的设计应当采用图1还是图2所示的架构。事实上，这两种架构的电源元件完全相同，唯一的区别在于控制器。 TI 对这两种架构都有支持者，并且拥有基于这两种架构的产品。 尽管 TI 长期以来在组合式控制器方面拥有丰富的产品组合并能够在同一解决方案中实现更多功能，我仍然认为，从长远来看，独立的功率因数校...

发布时间：2017-04-06

作者：VA Viswanathan 如果你曾经在电源设计公司听到过员工的走廊谈话，他们很可能是在激烈争论 75W电源的设计应当采用图1还是图2所示的架构。事实上，这两种架构的电源元件完全相同，唯一的区别在于控制器。 图1：基于分立式控制器IC的交流/直流设计 图2：基于组合式控制器IC的交流/直流设计 TI对这两种架构都有支持者，并且拥有基于这两种架构的产品。...

发布时间：2016-11-03

中国，北京 2016年11月03日 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。 该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内...