发布时间：2024-11-20

【2024年11月20日, 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合 。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。 CoolGaN™...

发布时间：2024-11-19

NVIDIA CUDA-Q 平台使谷歌量子 AI 研究人员能够为其量子计算机创建大规模的数字模型，以解决设计中面临的各种挑战 SC24 — NVIDIA 于今日宣布正在与谷歌量子 AI 合作，使用 NVIDIA CUDA-Q™ 平台进行模拟，加快下一代量子计算器件的设计工作。 谷歌量子 AI 正在使用量子-经典混合计算平台和 NVIDIA Eos 超级计算机...

发布时间：2024-11-19

11月19日消息，市场调研机构GfK中国的报告显示，国产手机均价在2023年第三季度已涨至3480元，经过今年的涨价，国产手机的均价很可能会迈入4000元大关。 至于涨价原因，有专家分析称，一部分原因是原材料成本上涨、供应链成本上升以及研发投入持续加大，这些都让厂商不得不调整价格以维持利润。 对此，相关供应链厂商已经表示，接下来手机零部件将出现价格大幅下滑的情况，比如内存等，...

发布时间：2024-11-14

目前，智能家居和现代化楼宇至少有100多种使用不同无线标准的互联设备。恩智浦RW61x是高度集成的安全三频无线MCU，通过简单高效的无线连接为这一需求提供了强大的解决方案。 RW61x丰富了恩智浦的无线MCU产品组合，为Matter标准的多种采纳提供了无线连接，如Matter over Thread、Matter over Wi-Fi和Matter over Eth...

发布时间：2024-11-13

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合， 专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计 该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围 为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支...

发布时间：2024-11-12

氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。 其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约，例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。对于性能表征也是如此，高响应度一定无法和...

发布时间：2024-11-08

根据对电动汽车的充电方式，充电桩可分为交流充电桩和直流充电桩两大类。直流充电桩具备直接给电池充电的能力，以三相四线制的方式连接电网，能够提供充足的电力，输出的电压和电流调整范围大，俗称“快充”。随着欧洲和美国开始计划进一步提高直流快充能力(350kW快速充电站)。 安装超级充电桩是电动汽车行业的一大进步，这个新的标准将会进一步打开电动汽车市场，也更加有利于电动汽车的进一步普及...

发布时间：2024-11-08

11 月 8 日消息，北京理工大学官方公众号昨日（11 月 7 日）发布博文，报道称该校张军院士团队首创片上光谱复用感知架构，自主研制了国际首款百通道百万像素高光谱实时成像器件，光能利用率创造世界最高记录。 项目背景 光谱被称为“光基因”，代表了光信号在不同波段的强度分布，表征了目标对光的反射 / 透射的本征属性。 高光谱成像技术能够同时获取目标的空间结构信息和数十甚至上百个...

发布时间：2024-11-06

初期聚焦于用于车载充电器的QDPAK封装碳化硅MOSFET器件 奈梅亨，2024年11月6日： Nexperia今天宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件 。根据合作条款，Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车(E...

发布时间：2024-11-06

数据显示，预计到2027年，汽车市场导电型碳化硅功率器件规模达49.86亿美元，占比79.2%，能源、工业和交通应用市场占比分别降至7.3%，8.7%和3.0%。 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。 其中，导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一...