发布时间：2018-05-13

如图，笔者用TQFP(32-100PIN)0.55MM转直插的转接板焊了一个STM32F207VET6的板子。板上引出了SWD调试接口（仅占用PA13和PA14），USART1串口引脚，插了一个触摸传感器和蜂鸣器模块。 所要实现的功能是：用手触碰一下触摸传感器后，蜂鸣器响一声。 接触摸传感器模块输出信号接到PA0口上。在没有接电源电容之前，每一次单片机复位（无论是软件复位...

发布时间：2016-08-16

在射频和微波频段使用的高功率电阻，大多数使用在Wilkinson功分器或者合路器产品中。为得到最好的性能，在Wilkinson功分器中使用的100欧姆隔离电阻，必须具有较小的等效电容，以便于降低对插入损耗的影响。另外，如果隔离电阻使用在Wilkinson合路器中，那么其需要吸收每个输入端口的输入功率的一半。 分离电阻常常用于设计高功率衰减器。频率低的时候，这是可行的；然而在高频...

发布时间：2013-12-13

光电二极管的信号很微弱，因此，放大器应该安装在光电二极管的附近，用于减小噪声的影响。但是，也存在无论怎样都不能接近前置放大器的情况。这样的情况可能很少，所以传送微小电流信号时如图1所示，假设使用100m的同轴电缆，试求OP放大器的反馈电容Cp的值。 并联电容Cp，如果把相当于1m电缆的容量设为100pF(数据手册上记载)，则100m就变为10000pF。因此，Cd和Ci此时可...

发布时间：2013-06-12

RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面，具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势，从而获得了广泛的关注，并显示出在微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来，业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上，RFMEMS电容式并联开关在Ka到W波段都表现出了良...

发布时间：2012-08-09

1 引言     高压脉冲电容能在很短时间内迅速释放其储存的能量，形成强大的冲击电流和冲击功率，因此广泛应用在激光核聚变、X光机、粒子束武器等领域。脉冲电容器的能量存储主要靠高压直流充电电源来实现。     文献利用LC串联谐振电路研制了一台40 kW／10 kV数字化高频高压脉冲电容充电电源，重点对提高功率密度和安全性能方面进行了研究，但未考虑分布电容。文献基于移相闭环控制L...

发布时间：2011-12-14

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发布时间：2011-06-10

电流谐振现象实际上是不可能得到的，因为电感线圈总是存在电阻的，于是电路就变成了混联，谐振现象也就较为复杂。 此电路参数发生谐振是有条件的，参数不合适可能不会发生谐振。在电路参数一定时，改变电源频率是否能达到谐振，要由下列条件决定： 当电路发生谐振时，电路相当于一个电阻： ...

发布时间：2011-03-16

电磁干扰问题通常由于 电路 中表现不明显的耦合路径弄得很复杂，其明确而有效地解决方法一般都依赖于工程师的经验或建立在经典模型上的数模仿真。令工程师们高兴的是，如果所有的非接触电磁干扰都能够用传统的集总元件建模，而这种模型可以与转换 电路 图表相结合来描绘全部传导干扰和耦合干扰。这样分析和预测就变得比较容易了。 集总元件电路模型适合分析和预测频段在0～30 MHz的电磁干扰。...

发布时间：2010-09-05

0 引言 　　电磁干扰问题通常由于电路中表现不明显的耦合路径弄得很复杂，其明确而有效地解决方法一般都依赖于工程师的经验或建立在经典模型上的数模仿真。令工程师们高兴的是，如果所有的非接触电磁干扰都能够用传统的集总元件建模，而这种模型可以与转换电路图表相结合来描绘全部传导干扰和耦合干扰。这样分析和预测就变得比较容易了。 　　集总元件电路模型适合分析和预测频段在0～30 ...

发布时间：2010-09-05

　　电网中装设高压并联电容器以改善功率因数，维持运行电压，提高输变电设备输送容量和降低线路损耗。但如运行电压过高，会危及设备和安全运行。有多种因素引起稳态电压升高，下面将进行分析。 　　 1　稳态电压的升高 　　(1) 电容器装置接入电网后引起电网电压升高。设升高的系数为K1，其值按下面方法计算：　　 ΔU≈UZM.Qc/Sd K1=(UCG+ΔU)/UCG ...