发布时间：2024-07-10

封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准 奈梅亨，2024 年 7 月 10 日： Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (J...

发布时间：2022-06-23

ROHM开发出实现了低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL/RFS系列” 有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及超低噪声特性的第4代快速恢复二极管（以下称“FRD”）6...

发布时间：2022-06-22

　　一、超快恢复肖特基二极管的检测 　　用万用表检测快恢复、超快恢复肖特基二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用RX1K挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5KΩ左右，反向电阻为无穷大；再用RX1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。 　　二、高效率肖特基二极管的检测 　　图1－1是一只待测的肖特基二极管，要判断出该肖特基二...

发布时间：2022-06-07

快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时...

发布时间：2021-05-25

　　快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢...

发布时间：2017-06-19

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corpora TI on，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q101资格，证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格，意味着汽车原始设备制造商（OEM）以及一级和其他供应商能...

发布时间：2017-06-19

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q101资格，证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格，意味着汽车原始设备制造商(OEM)以及一级和其他供应商能够在...

发布时间：2017-06-19

美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q101资格，证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格，意味着汽车原始设备制造商(OEM)以及一级和其他供应商能够在各种车载应用中使用这款产品。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。 相比在交流-直流/直流-直流转...

发布时间：2017-05-23

意法半导体 推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。 ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度 作为超结MOSFE...

发布时间：2017-05-22

eeworld网消息，中国，2017年5月22日 —— 意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))...