[求助] NMOS管的导通电压测试问题

这是一个NMOS管的资料，在测试的VGS(th)的时候，这个VDS的电压应该用多少V的？

测试条件上面只写了：ID=250uA, VDS=VGS， 也没标明VDS用多少V电压。

还望各位高手可以指教一下，非常感谢了。

这里是不是说至少VDS=VGS？VGS=-1V

我觉得只要VDS小于-40V内

VDS=-40V

测试条件写得很清楚：VDS＝VGS。就是说，D与G联接在一起，电压施加在D与S之间，逐渐升高到电流为250uA。电流升高到250uA时DS之间的电压(也就是G与S的电压)就是VGS(th)。

“这是一个NMOS管的资料”

不对吧？从资料中看，这是P沟管，而不是N沟管。第一行就说明了Drain-Source Breakdown Voltage是－40V。此电压为负，就是D极比S极电位低，那一定是P沟管。其它各行亦如是。你画红色框的那行也是负值。

楼主确实搞错

这个P

1楼红框内，是栅极-源极阈值电压VGS(th)

Vgs的最小阀值电压为：-0.1V，在红框设定条件下，源极 和 漏极导通，且Vs = Vd ，S极电压等于D极电压

VDS多大取决于施加P管的S极电压，，，，

导通下肯定符合小于-40V内

我确实是打错了，这不是NMOS管，是PMOS管

实际测量VGS(th)时，是将管子漏极门极联接在一起，用250uA恒流源对管子施加一个电流，同时测量管子的压降。当然，这个恒流源的最大输出电压不能太高，通常最高十几伏特。

请问下，意思是将G和D极短路连接在一起，然后慢慢加电流到250uA，然后测量管子的VGSth么？

不必 “慢慢加电流到250uA”，而是直接施加250uA电流。这种使用恒流源进行测试的方法是生产过程中检测的方法。这样检测，非常快，节省时间。

4楼所说，是整机生产单位抽查物料时使用的方法。因为需要抽测的样品数不多，而且整机生产单位很少会准备250uA恒流源，但低电压输出的可调稳压源却很多，所以使用这种逐渐升高电压的方法。此方法比较慢，但不需要专用设备。