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GD25Q16ESIGR

FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb(2M x 8) SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-SOP

产品类别:半导体    存储器   

制造商:兆易创新(GigaDevice)

官网地址:http://www.gigadevice.com

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GD25Q16ESIGR概述
GD25Q16ESIGR(16M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),双/四SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/O0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), I/O3 (HOLD#)。Dual I/O传输速率为266Mbit/s, Quad I/O传输速率为532Mbit/s。

特点
  16M位串行闪存

  2048K字节

  每个可编程页面256字节

  标准二重的四路SPI

  标准:SCLK、CS#、SI、SO、。保持#

  双SPI:SCLK、CS#、IO1、WP#、HOLD#

  四路:SCLK,CS#,102。

  高速时钟频率

  133MHz用于30PF负载的快速读取

  双I/O数据传输敢达266Mbit/s

  四路O数据传输高达532Mbit/s

  软件/硬件写入保护

  通过软件对所有/部分内存进行写保护

  使用WP#引脚启用/禁用保护

  顶部/底部块保护

  耐久性和数据保留

  最少100000个编程/擦除周期

  典型的20年数据保留期

  允许XiP(就地执行)操作

  高速读取减少了整个XiP指令获取时间

  带包装的连续读取进一步减少了填充SoC缓存的数据延迟
GD25Q16ESIGR规格参数
参数名称
属性值
类别
半导体;存储器
厂商名称
兆易创新(GigaDevice)
包装
卷带(TR)剪切带(CT)
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
16Mb
存储器组织
2M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O
时钟频率
133 MHz
写周期时间 - 字,页
70µs,2ms
访问时间
7 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
基本产品编号
GD25Q16
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