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FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-USON（4x3）
制造商：兆易创新(GigaDevice)
官网地址：http://www.gigadevice.com
下载文档| 型号 | GD25LQ16CNIGR | GD25LQ16CTIG | GD25LQ16CSIGR |
|---|---|---|---|
| 描述 | FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-USON（4x3） | FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOP | FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOP |
| 类别 | 半导体;存储器 | 半导体;存储器 | 半导体;存储器 |
| 厂商名称 | 兆易创新(GigaDevice) | 兆易创新(GigaDevice) | 兆易创新(GigaDevice) |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | 管件 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 存储器类型 | 非易失 | 非易失 | 非易失 |
| 存储器格式 | 闪存 | 闪存 | 闪存 |
| 技术 | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| 存储容量 | 16Mb（2M x 8） | 16Mb | 16Mb |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O | SPI - 四 I/O | SPI - 四 I/O |
| 时钟频率 | 104 MHz | 104 MHz | 104 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 50µs，2.4ms | 50µs，2.4ms | 50µs，2.4ms |
| 电压 - 供电 | 1.65V ~ 2.1V | 1.65V ~ 2.1V | 1.65V ~ 2.1V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | -40°C ~ 85°C（TA） | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 表面贴装型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-UDFN 裸露焊盘 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-USON（4x3） | 8-SOP | 8-SOP |
| 基本产品编号 | GD25LQ16 | GD25LQ16 | GD25LQ16 |
| 存储器组织 | - | 2M x 8 | 2M x 8 |
Microchip(微芯科技)
EEPROM 存储器 IC 4Kb（256 x 8 x 2） I²C 1 MHz 450 ns 8-TSSOP
Cypress(赛普拉斯)
FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb（64M x 8） SPI 166 MHz 24-FBGA（6x8）
兆易创新(GigaDevice)
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb（16M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 7 ns 8-SOP
兆易创新(GigaDevice)
FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOP
兆易创新(GigaDevice)
FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-SOP
Microchip(微芯科技)
EEPROM 存储器 IC 2Kb（256 x 8） I²C 1 MHz 450 ns 8-UDFN（2x3）