ROHM(罗姆半导体)
N沟道增强型MOS管, RD3G500GN系列, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装
Infineon(英飞凌)
表面贴装型 N 通道 80 V 300A(Tj) 375W(Tc) PG-HDSOP-16-2
Infineon(英飞凌)
700 V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET,采用 ThinPAK 5x6 封装
ST(意法半导体)
表面贴装型 N 通道 650 V 33A(Tc) 250W(Tc) H2PAK-7
ST(意法半导体)
通孔 N 通道 650 V 68A(Tc) 450W(Tc) TO-247-4
ST(意法半导体)
N沟道耗尽型MOSFET模块 650 V 45A(Tc) 240W(Tc) HiP247™