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2124-12L

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 55AW, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ADPOW

厂商官网:http://www.advancedpower.com/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)
3 A
配置
SINGLE
最高频带
S BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
R.A.041400
2124-12L
12 Watts, 22 Volts, Class C
Microwave 2200 - 2400 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The 2124-12L is a Common Base transistor capable of providing 12 Watts Class
C, RF Output Power over the band 2200-2400 MHz, The transistor includes
double input and output prematching for full broadband capability. Gold
Metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and
supreme ruggedness.
CASE OUTLINE
55AW Style 1
COMMON BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25°C
Maximum Voltage and Current
Collector to Emitter Voltage (BV
CES
)
Emitter to Base Voltage (BV
EBO
)
VCollector Current (I
c
)
Maximum Temperatures
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
SYMBOL
P
out
P
in
P
g
η
c
VSWR
CHARACTERISTICS
Power Out
Power Input
Power Gain
Collector Efficiency
Load Mismatch Tolerance
Pout = 12 Watts Pk
9:1
TEST CONDITIONS
F = 2100-2400 MHz
V
CC
= 22 Volts
MIN
12
2.25
7.5
42
TYP
MAX
UNITS
W
W
dB
%
44 Watts
45 V
3
3.0 Amps
-65 to +200
°C
+200
°C
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C
BV
CES
BV
EBO
h
FE
C
OB
θjc
Collector to Base Breakdown
Emitter to Base Breakdown
DC – Current Gain
Output Capacitance*
Thermal Resistance
Ic = 50 mA
Ie = 10 mA
Vce = 5V, Ic = 1A
Vcb = 28v, F = 1MHz
Tc = 25
o
C
45
3.0
15
4.0
V
V
pF
°C/W
*Not measureable due to internal prematch network
GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. TO VERIFY THE CURRENT VERSION
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2124-12L
August 1996
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参数对比
与2124-12L相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 2124-12L
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 55AW, 2 PIN
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 3 A
配置 SINGLE
最高频带 S BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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