2N2195,2N2195 pdf中文资料,2N2195引脚图,2N2195电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

包装说明

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Reach Compliance Code

compli

最大集电极电流 (IC)

1 A

基于收集器的最大容量

20 pF

集电极-发射极最大电压

25 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-39

JESD-30 代码

O-MBCY-W3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

最高工作温度

200 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

0.6 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

50 MHz

VCEsat-Max

0.35 V

Base Number Matches

参数对比

与2N2195相近的元器件有：2N2193、2N2102、2N2218A、2N1987、2N1989、2N1990、2N2194、2N2049、2N1988。描述及对比如下：

型号	2N2195	2N2193	2N2102	2N2218A	2N1987	2N1989	2N1990	2N2194	2N2049	2N1988
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	15	10	25	20	20	20	12	100	35
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	150 °C	150 °C	150 °C	200 °C	200 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.6 W	0.8 W	1 W	0.8 W	0.6 W	0.6 W	0.6 W	0.8 W	0.8 W	0.6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
VCEsat-Max	0.35 V	0.35 V	0.5 V	1 V	1.5 V	2 V	0.5 V	0.35 V	0.4 V	2 V
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	0.8 A	1 A	-	-	1 A	0.5 A	-
基于收集器的最大容量	20 pF	20 pF	15 pF	8 pF	35 pF	20 pF	-	20 pF	25 pF	20 pF
集电极-发射极最大电压	25 V	50 V	65 V	40 V	25 V	45 V	-	40 V	50 V	45 V
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	60 MHz	300 MHz	40 MHz	40 MHz	-	50 MHz	50 MHz	40 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99