2N2906A

600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SIEMENS

厂商官网：http://www.infineon.com/

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器件参数

参数名称

属性值

零件包装代码

BCY

包装说明

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

针数

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

0.6 A

集电极-发射极最大电压

60 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-18

JESD-30 代码

O-MBCY-W3

元件数量

端子数量

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

PNP

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

200 MHz

最大关闭时间（toff）

110 ns

最大开启时间（吨）

50 ns

Base Number Matches

参数对比

与2N2906A相近的元器件有：2N20907A、2N20906A、Q62702-S170、Q62702-F408。描述及对比如下：

型号	2N2906A	2N20907A	2N20906A	Q62702-S170	Q62702-F408
描述	600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18	600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
晶体管极性	-	PNP	PNP	PNP	PNP
最大导通时间	-	45 ns	45 ns	45 ns	45 ns
最大关断时间	-	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns
最大集电极电流	-	0.6000 A	0.6000 A	0.6000 A	0.6000 A
最大集电极发射极电压	-	60 V	60 V	60 V	60 V
加工封装描述	-	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
状态	-	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
包装尺寸	-	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
包装材料	-	METAL	METAL	METAL	METAL
结构	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大环境功耗	-	0.5000 W	0.5000 W	0.5000 W	0.5000 W
晶体管类型	-	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数	-	40	40	40	40