2SB541R,2SB541R pdf中文资料,2SB541R引脚图,2SB541R电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与2SB541R相近的元器件有：2SB541S、2SB541Q、2SD388R、2SD388S、2SD388Q、2SD388、2SB541。描述及对比如下：

型号	2SB541R	2SB541S	2SB541Q	2SD388R	2SD388S	2SD388Q	2SD388	2SB541
描述	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	40	100	60	40	100	20	20
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	NPN	NPN	NPN	NPN	PNP
功耗环境最大值	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W	80 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	7 MHz	7 MHz	7 MHz	9 MHz	9 MHz	9 MHz	9 MHz	7 MHz
VCEsat-Max	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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【晒晒】刚收到的MSP430 LaunchPad: 今天终于收到了TI的LaunchPad 走邮政，慢S了 1、寄来的包裹 2、打开后...; dontium 微控制器 MCU

多家AI合作伙伴助攻，联发科曦力P60平台终端即将上市

2018年3月14日消息，今天，联发科技曦力P60发布会在北京召开。联发科技曦力P60 （MediaTek Helio P60，以下简称Helio P60）是联发科技首款内建多核心人工智能处理器（Mobile APU：AI Processing Unit）及NeuroPilot AI技术的新一代智能手机系统单芯片（SoC），以AI技术的加持重新定义新高端（New Premium），让更多手机用户...[详细]
ASML反诉尼康专利侵权

eeworld网晚间报道：全球第三大半导体设备制造商ASML于4月28日表示，已对尼康（Nikon）提出反诉。 ASML解释该事件的来龙去脉，ASML和Nikon在2004年签订了一项专利交叉授权协议，部分专利已获永久授权，其他专利的授权日期已于2009年12月31日结束，双方同意互不采取法律移动的过渡期也在2014年12月31日结束。 ASML总裁暨执行长Peter Wennink强调，在过去...[详细]
大模型、3D HMI上车加速，AMD与中科创达如何赋能汽车座舱变革

当前，汽车产业正在面临着一百年来不曾遇到的伟大的变革，包括不限于电子电气架构在快速朝着中央计算的方向前进、AI多模态大模型上车、3D HMI开始进入应用阶段、自动驾驶越来越普及。总之，整车越来越智能，人车交互也越来越自然。快速的变革背后，往往是行业的更迭甚至是洗牌。众多智能化技术应用使得汽车对于应用计算、图形图像计算、AI计算的需求越来越强，催生高性能芯片进一步上车。同样的，这也引发整车软...[详细]
51单片机+8*8点阵实现的贪食蛇源代码

电路图和单片机仿真文件下载： http://www.51hei.com/bbs/dpj-20604-1.html 下面是源代码： #include reg51.h #define uchar unsigned char #define SNAKE 20 //最大长度 #define TIME 50 //显示延时时间 #define SPEED 71...[详细]
索尼每个像素曝光控制专利曝光

摘要：据最新一份索尼传感器专利显示，可以控制传感器上每一个像素的曝光时间！这意味着传感器上接受更多光线的亮部区域可以短时间曝光，而暗部区域将得到更长的曝光。这样如同一次性完成HDR拍摄，大大拓展了传感器的动态范围。拍摄者将不再纠结与大光比下亮部和暗部的细节。该传感器可以让图像每个部分都获得所需要的精确曝光。当然该技术可能存在一些限制。比如拍摄快速移动...[详细]
大唐中宁100MW/400MWh压缩空气储能项目已进入主设备安装阶段

日前，大唐中宁100MW/400MWh压缩空气储能项目蓄冷、蓄热罐吊装顺利完成，标志着该项目已进入主设备安装阶段，项目取得重要阶段性成果。近日，记者在大唐中宁100MW/400MWh压缩空气储能项目建设现场看到，项目蓄冷、蓄热罐安装已经完成，主厂房主体框架结构正在施工。 ... ...[详细]
MC68HC912B32背景调试模式设计

随着Flash技术在微处理器上的广泛应用，使单片机在开发和应用手段上有了革命性的变化，从传统的仿真器（ICE）到目前流行的JTAG，设计人员在不断寻找一种移植性更高、更易操作、费用更低的开发手段。使用传统的仿真器进行嵌入式开发时，通常调试工具会受价格和烦琐的操作所限制，但是随着微处理器制造工艺的提高及Flash技术的发展，一些高端微处理器（如CPU12/16/32、PowerPC、Col...[详细]
无线传感器开发系统的设计及实现

本文介绍了一种无线传感器开发系统的设计方法．包括节点和开发板。节点具有功耗低、通用性好的特点，带有多种传感器，可以感知温度、湿度和光等，并带有扩展口。开发板用于配置节点和下载程序。开发板具有友好的上位机用户界面，并支持多种编译系统生成的不同目标文件格式。　　1 节点的硬件设计　　传感器节点的硬件结构主要由传感模块、处理模块、通信模块和电源模块组成。传感器节点一般采用电池供电，由于节点放置在...[详细]
物联网功能丰富，安全性仍然欠缺

有没有想过黑客正在通过你使用的智能家居产品收集、传递甚至分析你的隐私？他们可以只用一部电脑就知道你房间内插座、灯或者其它设备的状态，甚至可以发出指令操控这些设备。“安全”已经成了物联网行业发展的必修课。如何防止物联网黑客攻击？在软件发布之前就要确保其安全。新思科技认为这并不难。但为什么并没有许多物联网设备制造商会这么做呢？首先，我们参考一下近期发生的几起物联网(IoT)安全事件...[详细]
基于单片机的简易计算器proteus仿真和源代码

51单片机的计算器仿真设计原理图如下（proteus仿真工程文件可到本帖附件中下载）单片机源程序如下: #include reg51.h //头文件 #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit lcden=P2^2; //LCD1602控制引脚 sbit rs=P2^0; sbit rw=P2^1; sbit...[详细]
iPhone XS系列的电池马甲再曝光

iOS 12.1.2出现电池马甲的图标　　新浪数码讯 1月4日上午消息，在运行iOS 12.1.2系统的的iPhone手机上，一个图标显示了iPhone XS的智能电池外壳形状。这意味着，这款传说中的配件即将到来。　　本图来自国外论坛，细心的用户甚至发现，这个小小的图标显示了XS电池壳将是“窄下巴”的样式，这是它与iPhone 6S的电池马甲最大区别。　　此前，有一份苹果面向经销商的产品销...[详细]
5G标准化工作遇阻标准推出时间或将延期

　　近期，高速运作的3GPP 5G 标准工作或将遇阻。SRG最新报告显示，有关 5G 非独立NR规范工作的相关项目已被推迟或停止。SRG总裁Michael Thelander在近期3GPP会议上表示， 5G 标准的15版和16版规范相关的研究项目均受到延迟影响。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　Thelander表示：为了实现尽快完成六月份的工作，把更多的工作重心放在十二月...[详细]
全国机器人产业规模去年达千亿元

全国机器人产业规模去年达千亿元2021世界机器人大会将于8月在北京举行本报北京7月15日电（记者韩鑫）记者从15日在京召开的2021世界机器人大会新闻发布会上获悉：“十三五”以来，我国已初步形成较为完整的机器人产业体系。产业规模快速增长，近年来机器人产业年均复合增长率超过15%，2020年全国机器人产业规模达到1000亿元，今年机器人产业发展持续向好，上半年工业机器人同比增长69.8%。发布...[详细]
Android之父安迪·鲁宾：极客文化的代表

安迪·鲁宾，让谷歌从全球搜索引擎的老大成功转型为智能手机市场的带头大哥，让微软总裁鲍尔默和“苹果之父”乔布斯暗中嫉恨抓狂。他就像当年的比尔·盖茨一样，踩在一条宽广的IT未来之路上，只不过当年那条路通向个人电脑，而今天这条路通向可能全面取代电脑的智能手机…… 　　苹果员工：被奇遇改变的一生　　1963年，安迪·鲁宾出生于美国纽约州。他的父亲是学心理学的，后来成立了一家电子器械直销公...[详细]
天府储能为某客户提供的1MW钒电池储能系统已正式发货

　　近日，天府储能为某客户提供的1MW钒电池储能系统顺利通过了严格的质量检测，全面符合行业既定标准，并已经安全、高效地发往了指定目的地。该储能系统的核心竞争优势在于其内置了公司自主研发的顶尖科技产品——“128kW钒电池超级电堆”。通过精妙的系统设计，这一创新技术被无缝集成到两个强大的500kW高功率模块之中，同时，这些容量模块又被巧妙地安排在四个预制舱内，从而确保了整个系统不仅具备高度产品...[详细]