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2SD388R

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
8 A
集电极-发射极最大电压
100 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
60
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
80 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
9 MHz
VCEsat-Max
2 V
Base Number Matches
1
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参数对比
与2SD388R相近的元器件有：2SB541R、2SB541S、2SB541Q、2SD388S、2SD388Q、2SD388、2SB541。描述及对比如下：
型号 2SD388R 2SB541R 2SB541S 2SB541Q 2SD388S 2SD388Q 2SD388 2SB541
描述 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 40 100 40 100 20 20
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN PNP PNP PNP NPN NPN NPN PNP
功耗环境最大值 80 W 80 W 80 W 80 W 80 W 80 W 80 W 80 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 9 MHz 7 MHz 7 MHz 7 MHz 9 MHz 9 MHz 9 MHz 7 MHz
VCEsat-Max 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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器件捷径:
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