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2SC1959-BP

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Micro Commercial Components (MCC)

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-92
包装说明
PLASTIC PACKAGE-3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
30 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
25
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SC1959
Features
•
•
•
•
Audio frequency low power amplifier applications, driver stage
amplifier applications, switching applications
Excellent h
FE
Linearity: h
FE(2)
=25(Min.) : V
CE
=6.0V, I
C
=400mA
1 Watt Amplifier applications
Complementary to 2SA562TM.
Power Silicon
NPN Transistor
TO-92
A
E
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
Marking: C1959
UL Flammability
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
Symbol
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
=35Vdc, I
E
=0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
=5.0Vdc, I
C
=0)
Rating
30
35
5.0
500
100
500
-55 to +150
-55 to +150
Min
---
---
Typ
---
---
Max
0.1
0.1
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
O
C
O
C
Units
uAdc
uAdc
D
B
C
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
OFF CHARACTERISTICS
I
CBO
I
EBO
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain*
70
---
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
h
FE-2
DC Current Gain*
25
---
(I
C
=400mAdc, V
CE
=6.0Vdc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
---
0.1
(I
C
=100mAdc, I
B
=10mAdc)
V
BE
Base-Emitter Voltage
---
0.8
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
f
T
Transition Frequency
200
300
(V
CE
=6.0Vdc, I
C
=20mAdc)
C
OBO
Collector Output Capacitance
--- 7.0
(V
CB
=6.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MH
Z
)
Note: h
FE(1)
Classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400
h
FE(1)
Classification O: 25 (Min.), Y: 40 (Min.)
h
FE-1
400
----
0.25
1.0
---
---
---
---
Vdc
Vdc
MH
Z
pF
DIM
A
B
C
D
E
G
INCHES
MIN
.170
.170
.550
.010
.130
.010
C
B
E
G
DIMENSIONS
MM
MIN
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
MAX
.190
.190
.590
.020
.160
.104
MAX
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
NOTE
www.mccsemi.com
Revision: 4
1 of 3
2006/05/16
2SC1959
MCC
Micro Commercial Components
TM
www.mccsemi.com
2 of 3
Revision: 4
2006/05/16
MCC
Micro Commercial Components
TM
***IMPORTANT NOTICE***
Micro Commercial Components Corp
.
reserves the right to make changes without further notice to any
product herein to make corrections, modifications , enhancements , improvements , or other changes .
Micro Commercial Components Corp
.
does not assume any liability arising out of the application or
use of any product described herein; neither does it convey any license under its patent rights ,nor
the rights of others . The user of products in such applications shall assume all risks of such use
and will agree to hold
Micro Commercial Components Corp
.
and all the companies whose
products are represented on our website, harmless against all damages.
***APPLICATIONS DISCLAIMER***
Products offer by
Micro Commercial Components Corp
.
are not intended for use in Medical,
Aerospace or Military Applications.
www.mccsemi.com
Revision: 4
3 of 3
2006/05/16
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参数对比
与2SC1959-BP相近的元器件有：2SC1959-GR、2SC1959-O、2SC1959-Y、2SC1959-AP、2SC1959-A、2SC1959-B。描述及对比如下：
型号 2SC1959-BP 2SC1959-GR 2SC1959-O 2SC1959-Y 2SC1959-AP 2SC1959-A 2SC1959-B
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor, Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compliant unknown unknown
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0 e3 e0 e0
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 - - -
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - , ,
针数 3 3 3 3 - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A - - -
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V - - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - - -
最小直流电流增益 (hFE) 25 200 25 40 - - -
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 - - -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - - -
元件数量 1 1 1 1 - - -
端子数量 3 3 3 3 - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND - - -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - - -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
表面贴装 NO NO NO NO - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - - -
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz - - -
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
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