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Silicon N-channel Power F-MOS FET
厂商名称：Panasonic(松下)
厂商官网：http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
下载文档| 型号 | 2SK809 | 2SK809A |
|---|---|---|
| 描述 | Silicon N-channel Power F-MOS FET | Silicon N-channel Power F-MOS FET |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A | 5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3 Ω | 3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
