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ALD1116PAXXXX

Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：ALD [Advanced Linear Devices]

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参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

ALD [Advanced Linear Devices]

包装说明

IN-LINE, R-PDIP-T8

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE

配置

COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS

最小漏源击穿电压

12 V

最大漏源导通电阻

500 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PDIP-T8

元件数量

2

端子数量

8

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

NO

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

DUAL

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

文档预览

参数对比

与ALD1116PAXXXX相近的元器件有：ALD1106PBXXXX、ALD1106DBMXXXX、ALD1106SBXXXX、ALD1116DAMXXXX、ALD1116SAXXXX。描述及对比如下：

型号	ALD1116PAXXXX	ALD1106PBXXXX	ALD1106DBMXXXX	ALD1106SBXXXX	ALD1116DAMXXXX	ALD1116SAXXXX
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明	IN-LINE, R-PDIP-T8	IN-LINE, R-PDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14	IN-LINE, R-CDIP-T8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE	LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS	COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
最大漏源导通电阻	500 Ω	500 Ω	500 Ω	500 Ω	500 Ω	500 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T14	R-CDIP-T14	R-PDSO-G14	R-CDIP-T8	R-PDSO-G8
元件数量	2	4	4	4	2	2
端子数量	8	14	14	14	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	YES	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径:

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