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BC212C

COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SECOS

厂商官网:http://www.secosgmbh.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SECOS
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
350
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
Base Number Matches
1
参数对比
与BC212C相近的元器件有:BC212、BC212B。描述及对比如下:
型号 BC212C BC212 BC212B
描述 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 SECOS SECOS SECOS
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 350 140 140
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
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