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BSN10A-AMMO

TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
0.175 A
最大漏源导通电阻
20 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与BSN10A-AMMO相近的元器件有:BSN10AMO、BSN10A-T/R、BSN10-AMMO、BSN10-T/R。描述及对比如下:
型号 BSN10A-AMMO BSN10AMO BSN10A-T/R BSN10-AMMO BSN10-T/R
描述 TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal TRANSISTOR 175 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose Small Signal
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.175 A 0.175 A 0.175 A 0.175 A 0.175 A
最大漏源导通电阻 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
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