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BSX45-10

Transistor

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：COMSET

厂商官网：http://comset.halfin.com/

器件标准： Rohs认证

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

COMSET

Reach Compliance Code

unknown

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

1 A

集电极-发射极最大电压

40 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

25

JEDEC-95代码

TO-39

JESD-30 代码

O-MBCY-W3

元件数量

1

端子数量

3

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-65 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

NPN

功耗环境最大值

6.25 W

最大功率耗散 (Abs)

6.25 W

表面贴装

NO

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

50 MHz

最大关闭时间（toff）

850 ns

最大开启时间（吨）

200 ns

VCEsat-Max

1 V

参数对比

与BSX45-10相近的元器件有：BSX47-10、BSX46-10、BSX47-16。描述及对比如下：

型号	BSX45-10	BSX47-10	BSX46-10	BSX47-16
描述	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	COMSET	COMSET	COMSET	COMSET
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	40 V	80 V	60 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	25	25	100
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	6.25 W	6.25 W	6.25 W	6.25 W
最大功率耗散 (Abs)	6.25 W	6.25 W	6.25 W	6.25 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz
最大关闭时间（toff）	850 ns	850 ns	850 ns	850 ns
最大开启时间（吨）	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns
VCEsat-Max	1 V	0.9 V	1 V	0.9 V

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器件捷径:

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