FHRC112,FHRC112 pdf中文资料,FHRC112引脚图,FHRC112电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与FHRC112相近的元器件有：FHRC114、FHRC111、FHRC110、FHRC113。描述及对比如下：

型号	FHRC112	FHRC114	FHRC111	FHRC110	FHRC113
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTORS	BUILT-IN BIAS RESISTORS	BUILT-IN BIAS RESISTORS	BUILT-IN BIAS RESISTORS	BUILT-IN BIAS RESISTORS
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120	120	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz

求周启平的《VxWorks下设备驱动程序及BSP开发指南》: 由于刚接触，觉得这本书不错，今天跑遍了各个书店都没找着，不知哪位有电子版的啊，或者给出下载网址也行，...; FSDAFSDAFTERT 实时操作系统RTOS

while循环切换任务: 我建立的2个任务都是while循环的假设优先级高的任务是A 比较低的是B 系统开始在任务A里跑...; 中华小逗逼实时操作系统RTOS

AM27C256的替换芯片: 要求DIP封装、不带窗口，28脚 AM27C256的替换芯片哈！找我了。专业技术。专注存储！134...; wfy3200590 嵌入式系统

北京LED照明展见闻: 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:03 编辑阿牛哥...; jameswangsynnex 移动便携

msp430f5529LP: 谁有MSP430F5529LP的资料及程序吗？有的话能发给我一下吗？谢谢 857256004@qq...; 小@小哒哒何微控制器 MCU

PCB十年精髓，嘉立创《PCB设计与制造》应用教材完整版！: PCB十年精髓，嘉立创《PCB设计与制造》应用教材完整版，免费提供给工友们，需要的回复本帖可下载哦...; szjlcgw PCB设计

基于MSP430的直流宽带放大器设计

随着社会生产力的发展，人们迫切地要求能够远距离随时随地迅速而准确地传送多媒体信息。于是，无线通信技术得到了迅猛的发展，技术也越来越成熟。而宽带放大器是上述通信系统和其他电子系统必不可少的一部分，低噪声放大电路模块很大程度上决定了系统的整体指标。由此可知，宽带放大器在通信系统中起到非常重要的作用，于是人们对它的要求也越来越高。 1 总体设计方案 1．1 宽带放大器设计技术指标宽带放大电路的...[详细]
智能机器人技术在医疗设备中的应用及发展

2019年8月9日上午，以“智慧科技 · 能创未来”为主题的“WAIE 2019第四届上海国际人工智能展览会暨人工智能产业大会”正式在上海新国际博览中心E1馆扬帆起航。此次会议中，上海交通大学生物医学制造与生命工程研究所所长、教授曹其新给我们分享了智能机器人在医疗装备中的应用情况及其对行业的深刻见解。上海交通大学生物医学制造与生命工程研究所所长、教授曹其新市场规模宏大，医疗设备严重依赖...[详细]
单片机与FPGA在信号测试中的重要作用解析方案

1 引言在学习《电子线路》、《信号处理》等电子类课程时，高校学生只是从理论上理解真正的信号特征。不能真正了解或观察测试某些信号。而幅频特性和相频特性是信号最基本的特征.这里提出了基于单片机和FPGA的频率特性测试仪的设计方案，可使学生在实践中真正观察和测试信号的频率特性。 2 设计方案该系统设计采用扫频测试法。设频率响应为H(jω)，实系数线性时，不变系统在正弦信号x(n)=Aco...[详细]
三相电机什么是软启动

三相异步电机，以其简单可靠的性能在工业还是生活领域中，得到了广泛的运用。但是在直接启动时，其启动的电流太大，可以达到4~7倍的额定电流，巨大的冲击力对机械都是一个不小的考验，而且对电网的影响很大。如果是频繁启动，那将是更加麻烦的事情。虽然现在变频器特别是大功率的变频器取得了很大的发展和进步，但其主要的功能是为电机的调速而准备的，所以，不需要调速的电机加装变频器，特别是大功率的变频器，是一笔...[详细]
降低柴油机排放的传感器技术

减少二氧化碳排放是当今汽车领域最热门的话题。欧盟委员会最近宣布到2012年获得更安全更环保汽车的路线图。汽车消费者购买方式中的明显变化也证实，消费者想要能满足自己个人与专业需求的有最高燃料效能汽车。通过混合燃料技术等进展，汽车制造商正在推出降低二氧化碳排放的新款汽车。另外还有一些技术也致力于这一目标，如Blue Motion、Econetic和Efficient Dynamics。柴油发动机...[详细]
瑞萨电子推出用于3、4级自动驾驶汽车前视摄像头的R-Car V3H So

全球领先的汽车半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723)近日宣布，推出新款R-Car V3H片上系统(SoC)。该SoC以业界领先的低功耗，为汽车前视摄像头提供强大的计算机视觉性能和人工智能处理能力，适用于量产的3级(有条件自动化)和4级(高度自动化)自动驾驶汽车注1。该新型R-Car V3H SoC针对立体前视摄像头应用进行了优化，其计算机视觉性能是2017年4月11日宣布推出、...[详细]
45纳米技术研究取得新突破，闸极漏电问题得到解决？

一种用于CMOS晶体管的高k电介质工艺有望使国际半导体路线图驶上高速公路，它可以在直至10纳米的节点上消除闸极漏电问题。闸极漏电流过大引起的过热，是半导体节点突破45纳米所面临的头号障碍。据美国Clemson大学的研究人员，现在，漏电流只有原来100万分之一的工艺，可能使产业快速转向先进节点。原子层沉积的快速热制程（RTP）得到0.39纳米的等效氧化物厚度(EOT)，漏电流只有10-12A/...[详细]
简述逆变电路及其控制及门极关断箝位电路设计

UPS(Uninterruptible Power System )，即不间断电源，是一种含有储能装置，以逆变器为主要组成部分的恒压恒频的不间断电源。主要用于给单台计算机、计算机网络系统或其它电力电子设备提供不间断的电力供应。当市电输入正常时，UPS 将市电稳压后供应给负载使用，此时的UPS就是一台交流市电稳压器，同时它还向机内电池充电;当市电中断(事故停电)时， UPS 立即将机内电池的电能，...[详细]
单片机设计超声波测距仿真

一、电路设计超声波模块介绍由于超声波指向性强，能量消耗缓慢，在介质中传播的距离较远，因而超声波经常用于距离的测量，利用超声波检测往往比较迅速、方便、计算简单、易于做到实时控制，并且在测量精度方面能达到工业实用的要求，因此得到了广泛的应用。如图5即为HC-SR04超声波测距模块 1、基本工作原理：如图6为超声波测距传感器HC-SR04模块，VCC 接 5V 电源，GND 为地线，TRI...[详细]
奢侈FINNEY全面屏手机曝光来自以色列SIRIN实验室

在这个全面屏大放异彩的时代，一家手机厂商如果不出全面屏产品就可能被淘汰。目前推特上网友曝光了来自以色列的科技公司Sirin Labs的一款名为FINNEY的全面屏手机，据说它是一款超高端智能手机。网络曝光的FINNEY手机　　这款手机的超前卫造型吸引了不少网友，该机采用了类似苹果的“刘海”设计，外观看起来非常纤薄，有点当年MOTO刀锋手机的既视感，背部摄像头设计非常犀利，网友调侃像刮胡刀...[详细]
单片机多机通信网络改进及数据通信容错技术

在目前单片机组成的嵌入式控制系统中,所谓的多机通信是指上位机与下位机之间的主从模式的通信,一个单片机系统为主机, n 个应用系统为从机,从机之间不能进行通信. 目前单片机通信存在通信网络模式简单,数据的通信速率低,没有容错技术等缺点. MCS-51 单片机串行接口SBUF ,由SCON 控制为用于多机通信的工作方式2 ,3. 当SM2 = 1 ,出现两种情况:接收到第9 位数据为1 时,...[详细]
ePropelled推出新的EV推进系统可将电源效率提高15%

ePropelled是一家提供领先电力推进系统的技术公司。据外媒报道，该公司推出了具有突破性意义的电动汽车推进系统。新系统可将电源效率（power efficiency）至少提高15%，帮助制造商减少电池组的尺寸和成本，从而促进电动汽车的推广和应用。（图片来源：ePropelled） ePropelled的动态扭矩切换系统（Dynamic Torque Switching™，eD...[详细]
PIC单片机精通_A/D模数转换模块细节补充

1.PIC16F876a结果寄存器 ADCON1状态寄存器的7bit位定义了输出结果是左对齐还是右对齐，比较迷茫，不懂在说什么，查阅了一下DataSheet，如下：从上面的示意图可以看出，结果寄存器的对齐方式是为了方便我们读取转换后的数据。示意图不是很详细，我们可以看一下AD的结果寄存器。 AD的结果寄存器是16位宽的，但是有六位是不用的，所以实际上读取10位数据。 2.与AD...[详细]
物联网传感器国产化程度三年后达到30%

9月10日，中国传感产业研究中心主任张小飞在2010第五届粤港射频识别（RFID）技术应用高峰论坛上表示，作为构成物联网的基础单元，目前国内传感器芯片做的并不好，90%芯片靠进口。他预计，未来几年主要靠进口的局面尚不能扭转，但三年后国产芯片可达30%。　　他表示，国外企业进入中国进行投资将带来技术和人才传播，这有利于国产化；芯片被纳入国家发展战略，国家方面的投入以及企业的投入也...[详细]
雅投集团：蓄势待发抢抓机遇加快布局新型储能产业

近日，记者从四川雅投发展投资集团有限公司（以下简称：雅投集团）获悉，今年以来，该公司围绕市委、市政府关于大力推进战略性新兴产业发展要求，以培育战略性新兴产业塑造竞争新优势，将发展清洁能源作为雅投集团新兴产业的重要一环，成为助力建设雅安绿色产业体系 ... ...[详细]