HY638256LP-17,HY638256LP-17 pdf中文资料,HY638256LP-17引脚图,HY638256LP-17电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HY638256LP-17相近的元器件有：HY638256LR1-17、HY638256LT1-17、HY638256P-17、HY638256J-17、HY638256LJ-17、HY638256R1-17、HY638256T1-17。描述及对比如下：

型号	HY638256LP-17	HY638256LR1-17	HY638256LT1-17	HY638256P-17	HY638256J-17	HY638256LJ-17	HY638256R1-17	HY638256T1-17
描述	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 17ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIP	TSOP	TSOP	DIP	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP
包装说明	DIP, DIP28,.3	TSOP1-R, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22	DIP, DIP28,.3	SOJ, SOJ28,.34	SOJ, SOJ28,.34	TSOP1-R,	TSOP1,
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e6	e6
长度	36.576 mm	11.8 mm	11.8 mm	36.576 mm	17.89 mm	17.89 mm	11.8 mm	11.8 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	TSOP1-R	TSOP1	DIP	SOJ	SOJ	TSOP1-R	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.318 mm	1.2 mm	1.2 mm	4.318 mm	3.56 mm	3.56 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	0.55 mm	0.55 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.55 mm	0.55 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	8 mm	8 mm	7.62 mm	6.8 mm	6.8 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	-
封装等效代码	DIP28,.3	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	DIP28,.3	SOJ28,.34	SOJ28,.34	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.002 A	0.002 A	0.00005 A	-	-
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	4.5 V	4.5 V	2 V	-	-
最大压摆率	0.15 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-

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5G成助推力，各大厂狂推8K电视

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用ＡＤＳＰ－２１８１和ＭＣ６８３０２实现ＭＰＥＧ－２传送复用器

摘要：在概述ＭＰＥＧ－２传送流（ＴＳ）语法规范的基础上，给出了用ＡＤＳＰ－２１８１数字信号处理器和ＭＣ６８３０２微控制器实现传送复用器的设计方案和实现技术。该方法是在ＭＣ６８３０２的控制下，用ＤＳＰ查询复用器各输入ＦＩＦＯ的状态，根据各ＦＩＦＯ的状态读入数据，完成音频、视频的均匀打包。关键词：ＭＰＥＧ－２编码传输系统传送复用器ＴＳ流打包 ...[详细]
森萨塔科技-EMB制动力传感器丨确认申报2023金辑奖

申请技术丨EMB制动力传感器申报领域丨智能底盘产品描述： ①森萨塔科技的EMB制动力传感器，是在现有技术基础上，向新型封装及领域的进一步探索和应用推广。 ②EMB制动力传感器基于MSG技术的压阻效应,采用玻璃微熔应变片感应力信号。通过绑线工艺将应变片上各节点与电信号处理模块上对应的节点用防腐蚀铝线相连以实现电气连接。此电信号处理模块将压力信号转化为所需数值输出，具有更快的信...[详细]
STM8学习笔记---新建IAR工程文件

1.打开IAR工具 2.选择Project—Create New Project 3.选择Empty project,点击OK。 4.选择文件存储路径,输入工程名，点保存按钮。 5单击左上角新建文件按钮这时候右侧会出现一个新建文件，新建的是文本文件，需要把文本文件保存为*.c格式。 5.点左上角保存按钮 6.将文件名改为main.c，点保存按钮。这时候界面右侧文件...[详细]
为什么日本人这么爱功能手机？

译注：原文作者 Mat Smith 为主站驻日本编辑世界最大的行动科技大展刚收尾没多久，但在一台又一台大屏幕触控智能手机的背后，有人还记得曾经翻盖式功能手机才一度是最夯的新品吗？回想一下上一次你见到一只翻盖手机是啥时候的事 -- 不是不小心在抽屉里发现了一只 N 年没用的 Moto RAZR，拿出来缅怀一下，而是真的在路上看到有人从口袋掏出来用喔？对我来说，这也就是几...[详细]
国资委科改示范名单，上海集成电路研发中心、辉光电入列

4月27日，国资委官网公布了完成改革方案备案的204户“科改示范企业”名单。国家“科改示范行动”是我国继国企改革“双百行动”“区域性综改试验”后的又一国企改革专项工程，共选取了200余户改革创新紧迫性较强的国有科技型企业，重点在完善公司治理、市场化选人用人、强化激励约束等方面探索创新，打造一批国有科技型企业改革样板和自主创新尖兵。本次入选的204家公司，包括了多家电子信息相关企业。具体...[详细]
EEWORLD总编随笔第八期：不平静的半导体豪门

理论上本该沉寂、贴着“休假月”标签的8月却轰轰烈烈，始于恩智浦的IPO，结束于飞思卡尔的FTF技术论坛。如果说把英特尔也算在这个圈里的话，还看到其两周内连续三次、金额约在百亿美元的大手笔收购。只能说，资本的游戏在大腕手中是如此游刃有余。与技术无关镜头闪回到2006年，那一年，飞利浦剥离出了恩智浦，紧接着，摩托罗拉卖掉了半导体部门，这才有了飞思卡尔。我总是觉得，抛...[详细]
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺

SEMulator3D ® 虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战作者：半导体工艺与整合 (SPI) 资深工程师 Assawer Soussou 博士介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现...[详细]
软件锁相技术在柴油发电机组监控系统中的应用

在机械保温车辆段中，柴油发电机组发出的电能全部供给保温车内的电气设备使用，而这些设备均工作在工频条件下，这就要求发电机组发出的三相交流电有相当高的频率稳定性。而实际上，柴油发电机发出的电能，其交流电参数中的频率并不是固定不变的，正常的波动范围为49．5Hz~50．5Hz；当负载产生大范围波动时，频率也会随之产生大范围的波动。在检测过程中，对于这种大范围的波动，工作人员有时不能正确判断其是否是谐波...[详细]
在铁路GSM-R无线网络覆盖中应用GRRU相对于传统光纤直放站的分析

1．概述 GSM-R是基于目前世界最成熟、最通用的公共无线通信系统GSM平台上开发出来的专为铁路应用的数字式无线通信系统。虽然GSM-R是以GSM为基础，但相对于GSM无线通信系统又有着一定的区别。主要表现为：在功能上，它为铁路运营提供定制的附加功能如铁路通信列车调度、列车控制、支持高速列车等；在网络覆盖环境上，其信号覆盖区域多为沿铁路的线状分布而非...[详细]
今年全球AR/VR开支114亿美元 5年后2150亿美元

新浪科技讯北京时间8月4日晚间消息，IDC今日发布报告称，今年全球AR(增强现实)和VR(虚拟现实)市场开支将达到114亿美元，而2021年将增加到2150亿美元。　　报告称，2021年全球AR/VR产品和服务开支将从今年的114亿美元提高到2150亿美元，年复合增长率(CAGR)为113.2%。　　其中，美国的AR/VR开支最高，今年将达到32亿美元。亚太地区(不包括日本)紧随其...[详细]
硅谷IT企业耐不住寂寞，瞄向汽车行业

响了大半个世纪的科幻电影《回到未来(BacktotheFuture)》讲述了主人公马丁和布朗博士乘坐时间机器到达的未来某一天，他们所到的未来世界里，墙上挂着平板电视，平板电脑和可穿戴眼镜也出现在了电影当中；人们观看3D电影，并且可以进行视频通话，通过指纹识别进行门禁控制等。二十七年前拍摄的电影中所构思的未来世界，与现在的IT生活是何其的相似。 2015年10月21日，影响了大半个世纪的科幻...[详细]
这就是苹果造车的信号？看中了福建这家动力电池制造商

苹果是否造车，这已经成为科技界最大的一个悬念。据媒体独家获得的消息，苹果正在与中国的一家动力电池生产商秘密研发汽车动力电池，证实苹果汽车项目不仅仅是软件，还有硬件。苹果可能真的在造车。一个是美国硅谷全球高科技巨头，一个是中国福建的动力电池制造商，苹果与宁德时代新能源科技股份有限公司(下称“宁德时代”,又称“CATL”)正在进行一项基于保密协议的项目合作。据接近这一合作的消息...[详细]
适用于全球交流电源锂离子电池充电器设计

一次性电池不能够充电,完全放电后的电池即为报废电池。二次电池可以多次充电,但不同的化学特性对充电的要求也不同,特别是“快充”控制。目前,最常用的可充电电池是Li+、镍氢(NiMH)、镍镉(Nicd)和铅酸电池,其它类型的电池还很多,但没有大规模投入使用。因为本文仅讨论利用交流适配器供电的充电器设计,没有考虑汽车电源供电的SLI铅酸电池或更大容量电池的充电器。不同化学类型的电池对充电器的要求...[详细]
国家核电山东核电设备公司副总监汤传乐莅临和瑞电投进行考察交流、探讨合作

10月21日，国核设备副总监汤传乐带队莅临和瑞电投进行考察交流，公司董事长杨林、总经理甘世易、副总经理刘建国、支部书记张新振陪同交流。首先，汤总一行听取了和瑞电投基本情况、核心竞争力及发展规划报告，详细了解铁-铬液流储能优势和技术原理。杨董对来宾的到访表示热烈欢迎，同时指出在双碳目标背景下，大规模长时储能是必由之路，随着铁铬液流产品的迭代升级，铁铬...[详细]