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ICL7606IJN

Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:General Electric Solid State

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
General Electric Solid State
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
放大器类型
INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码
R-XDIP-T18
JESD-609代码
e0
功能数量
1
端子数量
18
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与ICL7606IJN相近的元器件有:ICL7606CJN、ICL7606MJN/C、ICL7606MJN/883B、ICL7605CJN、ICL7605IJN、ICL7605MJN、ICL7605MJN/883B、ICL7605MJN/883C。描述及对比如下:
型号 ICL7606IJN ICL7606CJN ICL7606MJN/C ICL7606MJN/883B ICL7605CJN ICL7605IJN ICL7605MJN ICL7605MJN/883B ICL7605MJN/883C
描述 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18 18 18 18
最高工作温度 85 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 85 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -25 °C - -55 °C -55 °C - -25 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL OTHER MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
标称负供电电压 (Vsup) - - - - -5 V -5 V -5 V -5 V -5 V
电源 - - - - +-5 V +-5 V +-5 V +-5 V +-5 V
标称供电电压 (Vsup) - - - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
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