型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

IPP65R110CFDXKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

器件标准：

下载文档
参数 预览 参数对比
IPP65R110CFDXKSA1 在线购买

供应商：

器件：IPP65R110CFDXKSA1

价格：-

最低购买：-

库存：点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
Factory Lead Time
18 weeks
雪崩能效等级（Eas）
845 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
31.2 A
最大漏极电流 (ID)
31.2 A
最大漏源导通电阻
0.11 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
277.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
99.6 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
!
"##
$
" %& &
!
'
(
! )
"##
* ! + "##
! , "##
- ./
*!
*! !
0 ,1
"##
"##
-
4
%
*
3
92 !
9
$
4
%
& $
$ 3 7
& $
9
2
3
$
$
3
$
$
$
3 &
%
32
$ 3$ %
3 4
4 5
6 78 4
3 7
4 %
9
9 *
44
9
2
$ 3*
(
9
4
$ $ 3$
9
2
-
!0 ,1
3 $
$ 3 44
3
2
$ $ 3$
4
2
* 3$
:; -
9 2
:
2 $ 3$
:
2
:
2
> %
:=
67-
7
: 9-
4
3* ?
33
% 2
3
8
3
44
4
"
<=3
3
7
3
&3&
% 9
4
*@
2
9
* @ 3$ 3*
$ 3 )
% *
&
!"#
%& '
*+ ,-
0 - 1
3&11
*
4
7&8, 8 &8 8 98
(
$
)
.
/
2
56
2951
.
:
5/
1
2
=> +
B < 4$
B <
B <
B <
B <
2C
;
:
1
2--
8(2
? > +
8 @ >1
0
,- 9 < 8
0 A :
0 7 :
0
:
0 2 :
0 0 :
/
/
/
/
/
+ /&8
.;
! )
"##
* ! + "##
! , "##
*!
*! !
"##
"##
1= - &
D
? (
=
3 = =
3 = =
1 / =
=> + <
2--
8(2
1& F1 & ,
1=
=
=
1
1
&E /&
=
=
=
1
+1
1 =1
1 =1
1 =1 8 +
1
.
;
4
;
4
:
A
! )
"##
* ! + "##
! , "##
*!
*! !
"##
"##
G :H/
11 &
I 1 1- = E 8
"
/&
& 18
=
'
'
!
!
;
!
$
#
2
$
%
0
0
KLMNOP
J G :H/
JG
H/
2
2
G:
G:
1 88
2
2
2
?<
B
=
=
=
1& =
=
=
+,
2
.4:
;
2
:
;
;
$$ . A
;4 $
::
:
A
H/
[=
:
[=
2
2
:
9 1
2951
9 1
1
6
6
J G :H/
+, 1 +
-
-
++ 8
+
- 1
3
Q
3
QR
0
QR
0
G
0
G
G
=
2/ %E T
3 8 98
&
11
8 98
S
4
FU'
&I 8 11 -
< 4$ <
&I
<
<-
8 11 -
+
& % &
0V 2C
& %
81& +
% &
0V 2C
%
2C'
2C'
-
2C'
WXW
WXW
K OWY
J G :H/
J G :H/
?&
+ &Z
< 4$ <
?&
<
/&
+ &Z
2C'
?;
8 ?; : 1= I1
? : 1= I1
J G :H/
J G :H/
G
4
G :H/
& 1 8 &8 E& I 8 =
1 8 &8 8 98
;'
0
0
KLMNOP
8 98
;
&8 - 1 =
? (
8 &8 =&
& 1-
8
0
\
0
8 ]98
'
'
;'
@
8 D, !"# ? (
1 I8 L
8 D, !"#
LP"^_ `aRb
_ !"# 8
=
&I 1 8
8
+ 1 8 1I = I
1
+
.
! )
&
&
"##
* ! + "##
! , "##
*!
*! !
"##
"##
&
&
"
11
11
=
=
-
81
c
c
= &
= &
I
1& 8
= 1
D
+& ,
WdeJ
WdeQ
OXNf
'( )*+ '(
!
,+ -.
!
!
4:
#
H/9A
H/9A
H/
8 8
%
1
;
'E&
= 1 E&
$
%
&8
+
&I 8
)
&
&
"
'(
,
!
!
;
.
!
#
H/9A
H/9A
H/
8 8
%
1
;
'E&
= 1 E&
$
%
11
11
&8
+
&I 8
-
81
=
=
c
c
= &
= &
I
= 1
D
1& 8
+& ,
WdeJ
WdeQ
OXNf
/
&
&
"
.
!
WdeJ
'
!
!
4:
#
H/9A
H/9A
$
%
11
11
=
=
c
c
= &
= &
= 1
D
WdeQ
;:
?
1& 8
E&& -
= &
= &
/7
/7
?
1& 8
= V =&& +
H/
E &I ? @
&8
+
E &I1& 8
-
+
I
&I 8
g
OXNf
'
= & 4
/7 1
= I
h4
&
h :
1
&
,
=&& +
-&(, /7
4I
= V =&--
%
=>
11 $ 5 ' E& 8
=&
= &
查看更多>
参数对比
与IPP65R110CFDXKSA1相近的元器件有：IPI65R110CFDXKSA1、IPA65R110CFDXKSA1、IPW65R110CFD、IPW65R110CFDFKSA2、IPP65R110CFDXKSA2、IPA65R110CFDXKSA2、IPB65R110CFDATMA2。描述及对比如下：
型号 IPP65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFDXKSA1 IPW65R110CFD IPW65R110CFDFKSA2 IPP65R110CFDXKSA2 IPA65R110CFDXKSA2 IPB65R110CFDATMA2
描述 MOSFET HIGH POWER_LEGACY MOSFET HIGH POWER_LEGACY MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：31.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.3mA 漏源导通电阻：110mΩ @ 12.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：277.8W(Tc) 类型：N沟道 Power Field-Effect Transistor, Power Field-Effect Transistor, Power Field-Effect Transistor, TO-220, FULL PACK-3 Power Field-Effect Transistor, TO-263, D2PAK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown compliant compliant
雪崩能效等级（Eas） 845 mJ 845 mJ 845 mJ 845 mJ 845 mJ 845 mJ 845 mJ 845 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A
最大漏极电流 (ID) 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A 31.2 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-262AA TO-220AB TO-247 TO-247 TO-220AB TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT IN-LINE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 99.6 A 99.6 A 99.6 A 99.6 A 99.6 A 99.6 A 99.6 A 99.6 A
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Factory Lead Time 18 weeks 1 week 18 weeks - - - 18 weeks 18 weeks
最大功率耗散 (Abs) 277.8 W 277.8 W 34.7 W 277.8 W 277.8 W 277.8 W 34.7 W -
热门器件
热门资源推荐
【转帖】关于运放的一些经典问题 运放的参数 【转】电路系统设计分析方法 有多个功能的芯片引脚，在原理图库里如何清晰的标识？ 【转帖】重新解读电解电容 EEWORLD大学堂----直播回放：模拟世界的最重要构成 - 信号链与电源：传感器 【新思科技IP资源】借助 IP 满足中国不断演变的云呼叫中心技术需求 江湖救急：请问sdd6450c201f44（或sdd64500201f44）是个什么片子？ 关于传递函数 不解油箱油量检测电路，求指点。
PIC单片机控制的遥控防盗报警器电路 红外线探测报警器 使用ESP8266从NTP服务器获取时间并在OLED显示器上显示 开关电源的基本组成及工作原理 用NE555制作定时器 RS-485基础知识:处理空闲总线条件的两种常见方法 如何构建一个触摸传感器电路 如何调制IC555振荡器 基于ICL296的大电流开关稳压器电源电路 基于TDA2003的简单低功耗汽车立体声放大器电路
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消